1030nm 200mW 100KHz DFB Butterfly Laser Diode
  • 1030nm 200mW 100KHz DFB Butterfly Laser Diode 1030nm 200mW 100KHz DFB Butterfly Laser Diode
  • 1030nm 200mW 100KHz DFB Butterfly Laser Diode 1030nm 200mW 100KHz DFB Butterfly Laser Diode
  • 1030nm 200mW 100KHz DFB Butterfly Laser Diode 1030nm 200mW 100KHz DFB Butterfly Laser Diode
  • 1030nm 200mW 100KHz DFB Butterfly Laser Diode 1030nm 200mW 100KHz DFB Butterfly Laser Diode

1030nm 200mW 100KHz DFB Butterfly Laser Diode

1030nm 200mW 100KHz DFB Butterfly Laser Diode ແມ່ນພະລັງງານສູງ, ເສັ້ນແຄບ DFB butterfly package laser diode, ຖືກນໍາໃຊ້ຢ່າງກວ້າງຂວາງເປັນແຫຼ່ງແກ່ນສໍາລັບເລເຊີເສັ້ນໄຍຫຼືສໍາລັບການວັດແທກຄວາມແມ່ນຍໍາຂອງ spectral.

ສົ່ງສອບຖາມ

ລາຍ​ລະ​ອຽດ​ຜະ​ລິດ​ຕະ​ພັນ

1.ສະຫຼຸບ:

1030nm 200mW 100KHz DFB Butterfly Laser Diode ແມ່ນພະລັງງານສູງ, ເສັ້ນແຄບ DFB butterfly package laser diode, ຖືກນໍາໃຊ້ຢ່າງກວ້າງຂວາງເປັນແຫຼ່ງແກ່ນສໍາລັບເລເຊີເສັ້ນໄຍຫຼືສໍາລັບການວັດແທກຄວາມແມ່ນຍໍາ.


2. ຄຸນສົມບັດ:

• 200mW ພະລັງງານຜົນຜະລິດສູງ;

•ຕ່ໍາກວ່າ 100kHz linewidth ແຄບ;

• PM fiber Beyond 18dB ສູງ PER;

• ແພັກເກດ Butterfly 14PIN;

• ປ້ຳຄວາມຮ້ອນເຄື່ອງໃຊ້ຄວາມຮ້ອນພາຍໃນ ແລະ ຈໍພາບ photodiode;

• ຄວາມໜ້າເຊື່ອຖືສູງທີ່ໄດ້ຮັບການພິສູດຈາກພາກສະໜາມ.

ຄວາມໜ້າເຊື່ອຖື:Telcordia GR-468. RoHS


3. ຄໍາຮ້ອງສະຫມັກ:

• ແຫຼ່ງແກ່ນຂອງເລເຊີ;

• ສະເປກໂທສໂຄປີ;

• ການຮັບຮູ້ແສງ.


4. ຄະແນນສູງສຸດຢ່າງແທ້ຈິງ

ພາລາມິເຕີ ສັນຍາລັກ ຕ່ຳສຸດ ສູງສຸດ. ໜ່ວຍ
LD Reverse ປັດຈຸບັນ IR - 2 V
LD Forward ປັດຈຸບັນ IF - 500 mA
MPD ແຮງດັນ Reverse VMPD - 20 V
ແຮງດັນເຄື່ອງເຮັດຄວາມເຢັນ thermoelectric VTEC - 4.8 V
ກະແສໄຟຟ້າເຄື່ອງເຮັດຄວາມເຢັນ ໄອເຕັກ - 2.5 A
ອຸນຫະພູມກໍລະນີປະຕິບັດງານ TC -45 70 ℃
ອຸນຫະພູມການເກັບຮັກສາ TSTG -40 85 ℃
ຄວາມຊຸ່ມຊື້ນ - 5 85 %RH
ການລະບາຍໄຟຟ້າສະຖິດ (ESD) VESD - 500 V
ອຸນຫະພູມ soldering ນໍາ ລຳຕົ້ນ - 260 ℃
ເວລາ soldering ນໍາ STIME 10 ວິ


5. ຄຸນລັກສະນະທາງແສງໄຟຟ້າ (ອຸນຫະພູມເລເຊີ 25 ℃):

ພາລາມິເຕີ ສັນຍາລັກ ສະພາບ ຕ່ຳສຸດ ພິມ. ສູງສຸດ. ໜ່ວຍ
ຄວາມຍາວຄື່ນກາງ λc TL=15~35℃CW 1028 1030 1032 ນມ
ພະລັງງານຜົນຜະລິດ optical ປ TL=25℃ - 200 - mW
ເກນປັດຈຸບັນ ໄອທີ TL=25℃ - 45 70 mA
ແຮງດັນປະຕິບັດງານ VOP POP = 200mW(CW) - - 2.5 V
ປະຈຸບັນປະຕິບັດງານ Iop POP = 200mW(CW) - 300 500 mA
ຄວາມກວ້າງຂອງເສັ້ນ Δλ - - 30 100 KHz
ອັດຕາສ່ວນການສະກັດກັ້ນຮູບແບບຂ້າງ SMSR - - 40 - dB
ອັດຕາສ່ວນການສູນພັນ Polarization ເອີ - 18 - - dB
ອຸນຫະພູມ. ຄ່າສໍາປະສິດຄວາມຍາວຄື້ນ Δλ/ΔT - - 0.08 - nm/℃
MPD ຕອບສະຫນອງ IMON/POP @-5V ແຮງດັນ bias 1 - 30 μA/mW
ຄວາມຕ້ານທານກັບເຄື່ອງເຮັດຄວາມຮ້ອນ RTH - 9.5 10 10.5 KΩ


6. ຂໍ້ມູນຈໍາເພາະຂອງເສັ້ນໄຍ Optical:

ພາລາມິເຕີ ລາຍລະອຽດ
ປະເພດເສັ້ນໄຍ PM980
ປະເພດ pigtail ທໍ່ວ່າງ 900μm
ຄວາມຍາວ pigtail 1.2±0.1ມ
ປະເພດຕົວເຊື່ອມຕໍ່ FC/APC


7. Package drawing&PIN-OUT Definition(Unit:mm):

1030nm 200mW 100KHz DFB Butterfly Laser Diode

ປະເພດ 2

1030nm 200mW 100KHz DFB Butterfly Laser Diode
PIN ລາຍລະອຽດ PIN ລາຍລະອຽດ
1 TEC(+) 14 TEC(-)
2 ເຄື່ອງຄວບຄຸມອຸນຫະພູມ 13 ພື້ນທີ່ກໍລະນີ
3 PD Monitor Anode (-) 12 NC
4 PD Monitor Cathode (+) 11 ເລເຊີ Cathode (-)
5 ເຄື່ອງຄວບຄຸມອຸນຫະພູມ 10 ເລເຊີ Anode (+)
6 NC 9 NC
7 NC 8 NC
Hot Tags: 1030nm 200mW 100KHz DFB Butterfly Laser Diode, ຜູ້ຜະລິດ, ສະຫນອງ, ຂາຍສົ່ງ, ໂຮງງານຜະລິດ, Customized, bulk, ຈີນ, ຜະລິດໃນປະເທດຈີນ, ລາຄາຖືກ, ລາຄາຕໍ່າ, ຄຸນນະພາບ.

ປະເພດທີ່ກ່ຽວຂ້ອງ

ສົ່ງສອບຖາມ

ກະລຸນາຮູ້ສຶກວ່າບໍ່ເສຍຄ່າເພື່ອໃຫ້ການສອບຖາມຂອງທ່ານໃນແບບຟອມຂ້າງລຸ່ມນີ້. ພວກເຮົາຈະຕອບກັບທ່ານໃນ 24 ຊົ່ວໂມງ.
X
ພວກເຮົາໃຊ້ cookies ເພື່ອສະເຫນີໃຫ້ທ່ານມີປະສົບການການຊອກຫາທີ່ດີກວ່າ, ວິເຄາະການເຂົ້າຊົມເວັບໄຊທ໌ແລະປັບແຕ່ງເນື້ອຫາ. ໂດຍການນໍາໃຊ້ເວັບໄຊທ໌ນີ້, ທ່ານຕົກລົງເຫັນດີກັບການນໍາໃຊ້ cookies ຂອງພວກເຮົາ. ນະໂຍບາຍຄວາມເປັນສ່ວນຕົວ
ປະຕິເສດ ຍອມຮັບ