200um InGaAs avalanche photodiodes APDs ແມ່ນ InGaAs APDs ທີ່ມີການຄ້າທີ່ໃຫຍ່ທີ່ສຸດທີ່ມີການຕອບສະຫນອງສູງແລະເວລາເພີ່ມຂຶ້ນແລະຫຼຸດລົງໄວທີ່ສຸດຕະຫຼອດໄລຍະຄວາມຍາວຂອງຄື້ນ 1100 ຫາ 1650nm, ການຕອບສະຫນອງສູງສຸດຢູ່ທີ່ 1550nm ແມ່ນເຫມາະສົມທີ່ສຸດສໍາລັບການສື່ສານ optical, ຊ່ອງຫວ່າງທີ່ປອດໄພ. OTDR ແລະ Optical Coherence Tomography.ຊິບໄດ້ຖືກປະທັບຕາດ້ວຍ hermetically ໃນຊຸດ TO ທີ່ມີການດັດແກ້, ທາງເລືອກ pigtailed ຍັງມີຢູ່.
200um InGaAs avalanche photodiodes APDs ແມ່ນ InGaAs APDs ທີ່ມີການຄ້າທີ່ໃຫຍ່ທີ່ສຸດທີ່ມີການຕອບສະຫນອງສູງແລະເວລາເພີ່ມຂຶ້ນແລະຫຼຸດລົງໄວທີ່ສຸດຕະຫຼອດໄລຍະຄວາມຍາວຂອງຄື້ນ 1100 ຫາ 1650nm, ການຕອບສະຫນອງສູງສຸດຢູ່ທີ່ 1550nm ແມ່ນເຫມາະສົມທີ່ສຸດສໍາລັບການສື່ສານ optical, ຊ່ອງຫວ່າງທີ່ປອດໄພ. OTDR ແລະ Optical Coherence Tomography.
ຊິບໄດ້ຖືກປະທັບຕາດ້ວຍ hermetically ໃນຊຸດ TO ດັດແກ້, ທາງເລືອກ pigtailed ຍັງມີຢູ່.
200um InGaAs avalanche photodiodes APDs ແມ່ນ InGaAs APDs ທີ່ມີການຄ້າທີ່ໃຫຍ່ທີ່ສຸດທີ່ມີການຕອບສະຫນອງສູງແລະເວລາເພີ່ມຂຶ້ນແລະຫຼຸດລົງໄວທີ່ສຸດຕະຫຼອດໄລຍະຄວາມຍາວຂອງຄື້ນ 1100 ຫາ 1650nm, ການຕອບສະຫນອງສູງສຸດຢູ່ທີ່ 1550nm ແມ່ນເຫມາະສົມທີ່ສຸດສໍາລັບການສື່ສານ optical, ຊ່ອງຫວ່າງທີ່ປອດໄພ. OTDR ແລະ Optical Coherence Tomography.
ຊິບໄດ້ຖືກປະທັບຕາດ້ວຍ hermetically ໃນຊຸດ TO ດັດແກ້, ທາງເລືອກ pigtailed ຍັງມີຢູ່.
ລະດັບການກວດພົບ 1100nm-1650nm;
ລະດັບການເຄື່ອນໄຫວກວ້າງ;
ຄວາມຮັບຜິດຊອບສູງ;
ປະຈຸບັນຊ້ໍາຕ່ໍາ;
ຊຸດມາດຕະຖານ TO-46.
ເຊັນເຊີ optical;
ການສື່ສານ optical ຊ່ອງຫວ່າງ.
| ພາລາມິເຕີ | ສັນຍາລັກ | ສະພາບ | ຕ່ຳສຸດ | ສູງສຸດ. | ໜ່ວຍ |
| PD Reverse ແຮງດັນ | VR | CW | - | VBR | V |
| ສົ່ງຕໍ່ກະແສ | IF | CW | - | 10 | mA |
| ປີ້ນກັບປະຈຸບັນ | IR | CW | - | 10 | mA |
| ອຸນຫະພູມປະຕິບັດງານ | ເທິງ | ອຸນຫະພູມກໍລະນີ | -40 | +85 | ℃ |
| ອຸນຫະພູມການເກັບຮັກສາ | TSTG | ອຸນຫະພູມສະພາບແວດລ້ອມ | -40 | +85 | ℃ |
| ອຸນຫະພູມ/ເວລາການເຊື່ອມໂລຫະນໍາ | ສ | - | - | 260/10 | â/ສ |
| ພາລາມິເຕີ | ສັນຍາລັກ | ສະພາບ | ຕ່ຳສຸດ | ພິມ. | ສູງສຸດ. | ໜ່ວຍ |
| ຊ່ວງຄວາມຍາວຂອງຄື້ນ | λ | 1100 | - | 1650 | ນມ | |
| ພື້ນທີ່ເຄື່ອນໄຫວ | φ | - | - | 200 | - | um |
| ຄວາມຮັບຜິດຊອບ | ເຣ | M=1,λ=1550nm | 0.80 | - | - | A/W |
| ປັດໄຈຄູນ | M | VR=VBR-3, λ=1550nm,Ïۆe=1uW | 10 | - | - | - |
| ກະແສມືດ | ID | VR=VBR-3, Ïۆe=0 | - | - | 35 | ນ |
| ແຮງດັນການແຕກຫັກຍ້ອນກັບ | VBR | ID=10μA, Ïۆe=0 | 40 | - | 55 | V |
| ແບນວິດ | BW | -3dB ຈຸດ, M=10, RL=50Ω | - | 1.25 | - | GHz |
| ຄວາມຈຸ | C | M=10, Ïۆe=0, f=1MHz | - | - | 2 | pF |
ຜະລິດຕະພັນທັງຫມົດໄດ້ຖືກທົດສອບກ່ອນທີ່ຈະສົ່ງອອກ;
ຜະລິດຕະພັນທັງຫມົດມີການຮັບປະກັນ 1-3 ປີ. (ຫຼັງຈາກໄລຍະເວລາການຮັບປະກັນຄຸນນະພາບເລີ່ມຕົ້ນທີ່ຈະຄິດຄ່າບໍລິການບໍາລຸງຮັກສາທີ່ເຫມາະສົມ.
ພວກເຮົາຂອບໃຈທຸລະກິດຂອງທ່ານ ແລະສະເໜີນະໂຍບາຍຄືນເງິນໃນ 7 ມື້ທັນທີ. (7 ມື້ຫຼັງຈາກໄດ້ຮັບລາຍການ);
ຖ້າສິນຄ້າທີ່ທ່ານຊື້ຈາກຮ້ານຂອງພວກເຮົາບໍ່ມີຄຸນນະພາບດີເລີດ, ນັ້ນຄືພວກມັນບໍ່ເຮັດວຽກທາງອີເລັກໂທຣນິກຕາມສະເພາະຂອງຜູ້ຜະລິດ, ພຽງແຕ່ສົ່ງຄືນໃຫ້ພວກເຮົາເພື່ອທົດແທນ ຫຼືຄືນເງິນ;
ຖ້າລາຍການມີຂໍ້ບົກພ່ອງ, ກະລຸນາແຈ້ງພວກເຮົາພາຍໃນ 3 ມື້ຂອງການຈັດສົ່ງ;
ທຸກໆລາຍການຕ້ອງໄດ້ຮັບການສົ່ງຄືນໃນສະພາບເດີມຂອງພວກເຂົາເພື່ອໃຫ້ມີຄຸນສົມບັດສໍາລັບການຄືນເງິນຫຼືການທົດແທນ;
ຜູ້ຊື້ຕ້ອງຮັບຜິດຊອບຄ່າຂົນສົ່ງທັງໝົດທີ່ເກີດຂຶ້ນ.
A: ພວກເຮົາມີ 0.3mm 0.5mm 1mm ພື້ນທີ່ເຄື່ອນໄຫວ avalanche photodiodes.
Q: ຄວາມຕ້ອງການສໍາລັບຕົວເຊື່ອມຕໍ່ແມ່ນຫຍັງ?A: Box Optronics ສາມາດປັບແຕ່ງຕາມຄວາມຕ້ອງການຂອງເຈົ້າ.
ສະຫງວນລິຂະສິດ @ 2020 Shenzhen Box Optronics Technology Co., Ltd. - China Fiber Optic Modules, Fiber Coupled Lasers manufacturers, Laser Components Suppliers ສະຫງວນລິຂະສິດທຸກປະການ.
