1574nm DFB Butterfly Laser Diode ຜູ້ຜະລິດ

Programmable Optical Attenuator ສໍາລັບການສື່ສານ Fiber Optical ຖືກນໍາໃຊ້ສໍາລັບການຄວບຄຸມ attenuation ຂອງພະລັງງານ optical ໃນເສັ້ນທາງເສັ້ນໄຍ optical, ມີການຕິດຕາມພະລັງງານ, ລະດັບການຫຼຸດຫນ້ອຍລົງຂະຫນາດໃຫຍ່, ຄວາມຖືກຕ້ອງຂອງການປັບສູງແລະພະລັງງານທີ່ຫມັ້ນຄົງ, ເຊິ່ງສາມາດສະຫນອງປະເພດ benchtop ຫຼືການຫຸ້ມຫໍ່ modular.

1653nm DFB Laser Diode ສໍາ​ລັບ CH4 Sensing ໃຫ້​ຄວາມ​ເຊື່ອ​ຖື​ໄດ້​, ຄວາມ​ຍາວ​ຄື້ນ​ຄວາມ​ຫມັ້ນ​ຄົງ​ແລະ​ການ​ຜະ​ລິດ​ພະ​ລັງ​ງານ​ສູງ​, ມີ​ທັດ​ສະ​ນະ collimating​. ເລເຊີຮູບແບບຕາມລວງຍາວອັນດຽວນີ້ໄດ້ຖືກອອກແບບໂດຍສະເພາະສໍາລັບຄໍາຮ້ອງສະຫມັກການຮັບຮູ້ອາຍແກັສທີ່ແນໃສ່ Methane (CH4). ຜົນຜະລິດ linewidth ແຄບປັບປຸງການປະຕິບັດຄໍາຮ້ອງສະຫມັກໃນທົ່ວລະດັບຄວາມກ້ວາງຂອງສະພາບການດໍາເນີນງານ.

1310nm DFB Coaxial Laser Diode ກັບ TEC ໂດຍທົ່ວໄປແມ່ນໃຊ້ສໍາລັບການສະຖຽນລະພາບຫຼື modulating ແຫຼ່ງແສງສະຫວ່າງ. ນອກຈາກນັ້ນ, ແຫຼ່ງ laser ຄວາມຫມັ້ນຄົງສູງສາມາດຖືກນໍາໃຊ້ສໍາລັບອຸປະກອນການທົດສອບແລະອຸປະກອນ OTDR. ໄດໂອດເລເຊີແມ່ນປະກອບດ້ວຍຊິບ CWDM-DFB, ຕົວແຍກຕົວດ່ຽວ, ຕິດຕັ້ງໃນຈໍພາບ photodiode ແລະ TEC cooler, ແລະ SC/APC, SC/PC, FC/APC, FC/PC optical connector. ລູກຄ້າສາມາດເລືອກຄວາມຍາວຂອງເສັ້ນໄຍ optical ແລະຄໍານິຍາມ pin ອີງຕາມຄວາມຕ້ອງການຕົວຈິງ. ພະລັງງານຜົນຜະລິດສາມາດໃຊ້ໄດ້ຈາກ 1MW, 1270nm ~ 1610nm CWDM wavelength ທີ່ມີຢູ່.

ຊຸດຜະລິດຕະພັນຜະລິດຕະພັນຜະລິດຕະພັນຜະລິດຕະພັນເຄື່ອງຂະຫຍາຍຂະຫນາດຂອງ Aplifier ທີ່ມີ semicalfier ທີ່ມີ semicalfier, ແມ່ນຕົ້ນຕໍສໍາລັບການຂະຫຍາຍດ້ານສັນຍານoptា opt ນຽມແລະສາມາດເພີ່ມຜົນຜະລິດຜົນຜະລິດຜົນຜະລິດຢ່າງຫຼວງຫຼາຍ. ຜະລິດຕະພັນທີ່ມີຄຸນນະສົມບັດໄດ້ຮັບສູງ, ພະລັງງານຕ່ໍາ ການບໍລິໂພກແລະການບໍາລຸງຮັກສາຂົ້ວໂລກ, ໃນບັນດາເຕັກໂນໂລຢີອື່ນໆທີ່ມີຄວາມສາມາດຄວບຄຸມໄດ້ຢ່າງເຕັມສ່ວນ.

The 976nm 9W VBG Stabilized Wavelength Diode Laser ແມ່ນການແກ້ໄຂຫລ້າສຸດໃນເວທີ L4 ຂອງພວກເຮົາສໍາລັບຕະຫຼາດການສູບເລເຊີເສັ້ນໄຍ. ການອອກແບບ laser diode, ເຊິ່ງ leverages ຮອຍຕີນ L4, ສະຫນອງລະດັບສູງຂອງການປົກປ້ອງຄໍາຄຶດຄໍາເຫັນຈາກເສັ້ນໄຍ laser wavelength ໃດ. 976nm 9W VBG Stabilized Wavelength Diode Laser ປະສົມປະສານ VBG ເພື່ອສະຖຽນລະພາບຄວາມຍາວຂອງຄື້ນ. ເລເຊີ 976nm 9W VBG Stabilized Wavelength Diode Laser ໃຫ້ພະລັງງານ 9W ຈາກເສັ້ນໄຍ 105 µm.

BoxOptronics Radiation Resistant Erbium Doped Fiber ມີລັກສະນະຕ້ານລັງສີທີ່ດີ, ເຊິ່ງສາມາດຫຼຸດຜ່ອນຜົນກະທົບຂອງລັງສີ ion ທີ່ມີພະລັງງານສູງຕໍ່ເສັ້ນໄຍ erbium-doped. ເສັ້ນໄຍມີຄວາມສອດຄ່ອງທີ່ດີ. ມັນສາມາດຖືກສູບໂດຍ 980 nm ຫຼື 1480 nm, ແລະສາມາດຮັບຮູ້ການເຊື່ອມຕໍ່ການສູນເສຍຕ່ໍາກັບເສັ້ນໄຍ optical ການສື່ສານ.