+86-0755 21009302  
  ricky01@boxoptronics.com
ຜະລິດຕະພັນ
ບ້ານ > ຜະລິດຕະພັນ > 1576nm 10mW DFB Butterfly Laser Diode

1576nm 10mW DFB Butterfly Laser Diode ຜູ້ຜະລິດ

ໂຮງງານຜະລິດຂອງພວກເຮົາສະຫນອງໂມດູນເລເຊີເສັ້ນໄຍ, ໂມດູນເລເຊີ ultrafast, ເລເຊີ diode ພະລັງງານສູງ. ບໍລິສັດຂອງພວກເຮົາຮັບຮອງເອົາເຕັກໂນໂລຊີຂະບວນການຕ່າງປະເທດ, ມີອຸປະກອນການຜະລິດແລະການທົດສອບກ້າວຫນ້າທາງດ້ານ, ໃນຊຸດການເຊື່ອມອຸປະກອນ, ການອອກແບບໂມດູນມີເຕັກໂນໂລຊີຊັ້ນນໍາແລະປະໂຫຍດການຄວບຄຸມຄ່າໃຊ້ຈ່າຍ, ເຊັ່ນດຽວກັນກັບລະບົບການຮັບປະກັນຄຸນນະພາບທີ່ສົມບູນແບບ, ສາມາດຮັບປະກັນການສະຫນອງປະສິດທິພາບສູງສໍາລັບລູກຄ້າ. , ຜະລິດຕະພັນ optoelectronic ຄຸນະພາບທີ່ເຊື່ອຖືໄດ້.

ຜະ​ລິດ​ຕະ​ພັນ​ທີ່​ກ່ຽວ​ຂ້ອງ

ຜະລິດຕະພັນຮ້ອນ

  • 975nm 976nm 980nm 200W High Power Fiber Coupled Diode Laser

    975nm 976nm 980nm 200W High Power Fiber Coupled Diode Laser

    The 975nm 976nm 980nm 200W High Power Fiber Coupled Diode Laser ປະກອບມີຜົນຜະລິດສູງຂອງ 200 ວັດ, ຄວາມຍາວກາງຂອງ wavelength ຂອງ 976nm, ພວກເຂົາເຈົ້າຍັງມີເສັ້ນຜ່າສູນກາງຂອງເສັ້ນໄຍ 200µm. ໂມດູນເຫຼົ່ານີ້ສະຫນອງປະສິດທິພາບສູງ, ຄວາມຫມັ້ນຄົງ, ແລະຄຸນນະພາບ beam ດີກວ່າ. ການຜະລິດແມ່ນບັນລຸໄດ້ໂດຍການຫັນປ່ຽນລັງສີ asymmetric ຈາກຊິບ laser diode ເຂົ້າໄປໃນເສັ້ນໄຍຜົນຜະລິດທີ່ມີເສັ້ນຜ່າກາງແກນຂະຫນາດນ້ອຍໂດຍໃຊ້ micro optics ພິເສດ. ຂັ້ນຕອນການກວດກາແລະການເຜົາໄຫມ້ໃນທຸກດ້ານມາເຖິງຜົນໄດ້ຮັບເພື່ອຮັບປະກັນແຕ່ລະຜະລິດຕະພັນທີ່ມີຄວາມຫນ້າເຊື່ອຖື, ຄວາມຫມັ້ນຄົງແລະອາຍຸຍືນ. ການປຸງແຕ່ງວັດສະດຸແລະການສູບເລເຊີເສັ້ນໄຍແມ່ນຄໍາຮ້ອງສະຫມັກທີ່ຄາດວ່າຈະສໍາລັບ lasers ເຫຼົ່ານີ້.
  • ການຂົ້ວໂລກ 1um ຮັກສາເສັ້ນໃຍທີ່ກົງກັນສອງເທົ່າ

    ການຂົ້ວໂລກ 1um ຮັກສາເສັ້ນໃຍທີ່ກົງກັນສອງເທົ່າ

    ການຂົ້ວໂລກກະເພາະອາຫານ Panda 1um ຮັກສາເສັ້ນໃຍທີ່ເຮັດໃຫ້ມີສຽງສອງເທົ່າຖືກອອກແບບມາສໍາລັບ ultrashort pulshort pulse fiber, Ameliarios ອື່ນໆທີ່ມີຄວາມຍາວສູງແລະສູງ. ມັນມີຄຸນລັກສະນະຂອງການຈັບຄູ່ສູງ, ການສູນເສຍທີ່ຕ່ໍາ, ແລະອັດຕາສ່ວນການສູນພັນສູງ, ໃຫ້ຮັບປະກັນເສັ້ນໃຍທີ່ມີປະສິດຕິພາບສູງໃນການຮັກສາເສັ້ນໃຍ ytterbium-doped ໃນລະບົບ.
  • 500um ພື້ນທີ່ຂະຫນາດໃຫຍ່ InGaAs Avalanche Photodiode Chip

    500um ພື້ນທີ່ຂະຫນາດໃຫຍ່ InGaAs Avalanche Photodiode Chip

    500um ພື້ນທີ່ຂະຫນາດໃຫຍ່ InGaAs Avalanche Photodiode Chip ຖືກອອກແບບມາເປັນພິເສດເພື່ອໃຫ້ມີຄວາມມືດຕ່ໍາ, capacitance ຕ່ໍາແລະການເພີ່ມຂຶ້ນຂອງ avalanche ສູງ. ການນໍາໃຊ້ຊິບນີ້ເຄື່ອງຮັບ optical ທີ່ມີຄວາມອ່ອນໄຫວສູງສາມາດບັນລຸໄດ້.
  • 1490nm CWDM DFB Pigtail Laser Diode Module

    1490nm CWDM DFB Pigtail Laser Diode Module

    The 1490nm CWDM DFB Pigtail Laser Diode Module ແມ່ນໂມດູນ CWDM 1490nm InGaAsP/InP DFB laser diode ທີ່ຜະນຶກເຂົ້າກັນຢູ່ໃນຊຸດປະເພດ coaxial ຂະຫນາດນ້ອຍ, ລວມທັງ photodiode ຈໍພາບ InGaAs PIN ຄວາມໄວສູງແລະການເຊື່ອມຕໍ່ pigtail ຮູບແບບດຽວ.
  • 1330nm 2mW 4mW Coaxial DFB Pigtail laser diode

    1330nm 2mW 4mW Coaxial DFB Pigtail laser diode

    ໄດໂອດເລເຊີ 1330nm 2mW 4mW Coaxial DFB Pigtail ມີການປະຕິບັດການຈໍາລອງທີ່ດີເລີດເນື່ອງຈາກການໃຊ້ຊິບ DFB. ພະລັງງານຜົນຜະລິດໄດ້ຖືກຄວບຄຸມພາຍໃນ 1 ຫາ 4 mw ໂດຍອີງໃສ່ຄວາມຕ້ອງການຂອງລູກຄ້າ, ເຊິ່ງເຮັດໃຫ້ໂມດູນເລເຊີນີ້ເຫມາະສົມສໍາລັບການນໍາໃຊ້ໃນ CATV, ດິຈິຕອນ, ແລະລະບົບສາຍສົ່ງສັນຍານ analog.
  • 760nm 2W ຄຸນະພາບສູງ Fiber Laser Diode LD

    760nm 2W ຄຸນະພາບສູງ Fiber Laser Diode LD

    ນີ້ 760nm 2W Fiber Laser Diode LD ຄຸນນະພາບສູງໄດ້ຖືກພັດທະນາສໍາລັບຄໍາຮ້ອງສະຫມັກ laser ເສັ້ນໄຍ pumping ແລະໃນທາງການແພດຫຼືອຸປະກອນການປະມວນຜົນຄໍາຮ້ອງສະຫມັກ. ມັນສະຫນອງພະລັງງານເລເຊີເຖິງ 2W ຈາກເສັ້ນໄຍ 105µm ເຂົ້າໄປໃນຮູຮັບແສງຕົວເລກ 0.22 ທີ່ມີສະຖຽນລະພາບທາງເລເຊີທາງເລືອກຈາກ 760nm.
  • ບລັອກທີ່ກ່ຽວຂ້ອງ
  • ການທົບທວນຄືນ

  • ເຄື່ອງກວດຈັບພາບ

    ຫຼັກ​ການ​ຂອງ photodetector ແມ່ນ​ວ່າ​ການ​ນໍາ​ໃຊ້​ຂອງ​ອຸ​ປະ​ກອນ​ການ irradiated ການ​ປ່ຽນ​ແປງ​ເນື່ອງ​ຈາກ​ລັງ​ສີ​. ເຄື່ອງກວດຈັບພາບໄດ້ຖືກນໍາໃຊ້ຢ່າງກວ້າງຂວາງໃນຂົງເຂດຕ່າງໆຂອງການທະຫານແລະເສດຖະກິດແຫ່ງຊາດ. ໃນແຖບທີ່ເບິ່ງເຫັນຫຼືຢູ່ໃກ້ກັບອິນຟາເລດ, ມັນສ່ວນໃຫຍ່ແມ່ນໃຊ້ສໍາລັບການວັດແທກ ray ແລະກວດພົບ, ການຄວບຄຸມອັດຕະໂນມັດອຸດສາຫະກໍາ, ການວັດແທກ photometric, ແລະອື່ນໆ; ໃນແຖບ infrared, ມັນສ່ວນໃຫຍ່ແມ່ນໃຊ້ສໍາລັບການຊີ້ນໍາລູກສອນໄຟ, ການຖ່າຍຮູບຄວາມຮ້ອນ infrared, ແລະ infrared remote sensing. ຄໍາຮ້ອງສະຫມັກອື່ນຂອງ photoconductor ແມ່ນການນໍາໃຊ້ມັນເປັນຫນ້າດິນເປົ້າຫມາຍຂອງທໍ່ກ້ອງຖ່າຍຮູບ.

  • lasers ultrafast ພະລັງງານສູງແລະເລນຄວາມຮ້ອນ

    lasers ultrafast ພະລັງງານສູງຖືກນໍາໃຊ້ຢ່າງກວ້າງຂວາງເນື່ອງຈາກວ່າໄລຍະເວລາກໍາມະຈອນສັ້ນຂອງເຂົາເຈົ້າແລະພະລັງງານສູງສຸດ. lasers Ultrafast ຖືກນໍາໃຊ້ໃນຄໍາຮ້ອງສະຫມັກການປຸງແຕ່ງວັດສະດຸ, lasers ເສັ້ນໄຍທາງການແພດ, ກ້ອງຈຸລະທັດແລະຂົງເຂດອື່ນໆ.

  • ງານ​ວາງ​ສະ​ແດງ photonics Moscow​

    ຍິນດີຕ້ອນຮັບສູ່ບູດຂອງພວກເຮົາ: Moscow, Krasnopresnenskaya nab., 14, 123100, EXPOCENTRE Booth FE035

  • ຕະຫຼາດ laser semiconductor ມີຄວາມສົດໃສດ້ານຢ່າງກວ້າງຂວາງແລະລະດັບຄວາມກ້ວາງຂອງຄໍາຮ້ອງສະຫມັກອຸດສາຫະກໍາ

    ເລເຊີ semiconductor ແມ່ນປະເພດຂອງເລເຊີທີ່ພັດທະນາໃນຊຸມປີ 1960, ນໍາໃຊ້ວັດສະດຸ semiconductor ເປັນວັດສະດຸເຮັດວຽກ. ນັບຕັ້ງແຕ່ທ້າຍຊຸມປີ 1970, lasers semiconductor ໄດ້ພັດທະນາຢ່າງຊັດເຈນໃນສອງທິດທາງ. ປະເພດຫນຶ່ງແມ່ນ lasers ປະເພດຂໍ້ມູນຂ່າວສານສໍາລັບຈຸດປະສົງຂອງການສົ່ງຂໍ້ມູນ, ແລະປະເພດອື່ນໆແມ່ນ lasers ພະລັງງານສໍາລັບຈຸດປະສົງຂອງການນໍາໃຊ້ພະລັງງານ optical ໂດຍກົງຂອງ laser ຜົນຜະລິດໄດ້.

  • ຕະຫຼາດເລເຊີ 980NM ທົ່ວໂລກຈະໄປເຖິງ 292,71 ລ້ານໂດລາສະຫະລັດໃນປີ 2030

    ເລເຊີ pump ແມ່ນ laser ທີ່ໃຊ້ໃນການສະຫນອງແຫຼ່ງແສງທີ່ຕື່ນເຕັ້ນສໍາລັບເຄື່ອງຂະຫຍາຍໄຟເສັ້ນໃຍຫຼືເສັ້ນໃຍເສັ້ນໃຍ. ຄວາມລື່ນທາງລົບລ້າງການປ່ອຍອາຍພິດຂອງເລເຊີຂະຫນາດ 980NM PULER ແມ່ນປະມານ 980 nanometers (nm).

  • ເລເຊີປ່ອຍແສງຢູ່ດ້ານຕາມແນວຕັ້ງ

    ເລເຊີ emitting ພື້ນຜິວຢູ່ຕາມໂກນແນວຕັ້ງແມ່ນ laser semiconductor ລຸ້ນໃຫມ່ທີ່ໄດ້ຮັບການພັດທະນາຢ່າງໄວວາໃນຊຸມປີມໍ່ໆມານີ້. ອັນທີ່ເອີ້ນວ່າ "ການປ່ອຍອາຍພິດພື້ນຜິວຕາມໂກນແນວຕັ້ງ" ຫມາຍຄວາມວ່າທິດທາງການປ່ອຍອາຍພິດຂອງເລເຊີແມ່ນຕັ້ງຂວາງກັບຍົນ cleavage ຫຼືຫນ້າດິນ substrate. ວິທີການປ່ອຍອາຍພິດອີກອັນຫນຶ່ງທີ່ສອດຄ້ອງກັນເອີ້ນວ່າ "ການປ່ອຍອາຍພິດຂອບ". ເລເຊີ semiconductor ແບບດັ້ງເດີມຮັບຮອງເອົາຮູບແບບການປ່ອຍອາຍພິດຂອບ, ນັ້ນແມ່ນ, ທິດທາງການປ່ອຍອາຍພິດຂອງເລເຊີແມ່ນຂະຫນານກັບພື້ນຜິວ substrate. ເລເຊີຊະນິດນີ້ເອີ້ນວ່າ laser edge-emitting laser (EEL). ເມື່ອປຽບທຽບກັບ EEL, VCSEL ມີຄວາມໄດ້ປຽບຂອງຄຸນນະພາບ beam ທີ່ດີ, ຜົນຜະລິດຮູບແບບດຽວ, ແບນວິດ modulation ສູງ, ຊີວິດຍາວ, ການເຊື່ອມໂຍງແລະການທົດສອບໄດ້ງ່າຍ, ແລະອື່ນໆ, ດັ່ງນັ້ນມັນໄດ້ຖືກນໍາໃຊ້ຢ່າງກວ້າງຂວາງໃນການສື່ສານ optical, ການສະແດງ optical, optical sensing ແລະອື່ນໆ. ທົ່ງນາ.

ສົ່ງສອບຖາມ

ລິຂະສິດ @ 2020 ກ່ອງເຕັກໂນໂລຍີ SHENZHEN Technology.