+86-0755 21009302  
  ricky01@boxoptronics.com
ຜະລິດຕະພັນ
ບ້ານ > ຜະລິດຕະພັນ > 1590nm DFB Butterfly Laser Diodes 14-Pin PM Fiber

1590nm DFB Butterfly Laser Diodes 14-Pin PM Fiber ຜູ້ຜະລິດ

ໂຮງງານຜະລິດຂອງພວກເຮົາສະຫນອງໂມດູນເລເຊີເສັ້ນໄຍ, ໂມດູນເລເຊີ ultrafast, ເລເຊີ diode ພະລັງງານສູງ. ບໍລິສັດຂອງພວກເຮົາຮັບຮອງເອົາເຕັກໂນໂລຊີຂະບວນການຕ່າງປະເທດ, ມີອຸປະກອນການຜະລິດແລະການທົດສອບກ້າວຫນ້າທາງດ້ານ, ໃນຊຸດການເຊື່ອມອຸປະກອນ, ການອອກແບບໂມດູນມີເຕັກໂນໂລຊີຊັ້ນນໍາແລະປະໂຫຍດການຄວບຄຸມຄ່າໃຊ້ຈ່າຍ, ເຊັ່ນດຽວກັນກັບລະບົບການຮັບປະກັນຄຸນນະພາບທີ່ສົມບູນແບບ, ສາມາດຮັບປະກັນການສະຫນອງປະສິດທິພາບສູງສໍາລັບລູກຄ້າ. , ຜະລິດຕະພັນ optoelectronic ຄຸນະພາບທີ່ເຊື່ອຖືໄດ້.

ຜະ​ລິດ​ຕະ​ພັນ​ທີ່​ກ່ຽວ​ຂ້ອງ

ຜະລິດຕະພັນຮ້ອນ

  • 1530-1566nm Single Channel EDFA Booster Amplifier Module

    1530-1566nm Single Channel EDFA Booster Amplifier Module

    ຍິນດີຕ້ອນຮັບການຊື້ 1530-1566nm Single Channel EDFA Booster Amplifier Module ຈາກພວກເຮົາ. ທຸກໆຄໍາຮ້ອງຂໍຈາກລູກຄ້າຈະຖືກຕອບກັບພາຍໃນ 24 ຊົ່ວໂມງ.
  • 1um double clad fiber ທີ່ກົງກັນຂ້າມ

    1um double clad fiber ທີ່ກົງກັນຂ້າມ

    ເສັ້ນໃຍທີ່ມີການຈັບຄູ່ແບບກົງກັນຂ້າມ 1um - ເຮັດໃຫ້ມີການອອກແບບສໍາລັບເນື້ອງອກ1μmຫຼື lasers ໃຍປະມານແລະຍາວ. ມັນມີຄຸນລັກສະນະຂອງການຈັບຄູ່ທີ່ສູງ, ການສູນເສຍທີ່ຕ່ໍາ, ຄວາມສອດຄ່ອງແລະຄວາມຫມັ້ນຄົງສູງ, ຮັບປະກັນການນໍາໃຊ້ເສັ້ນໃຍ ytothium-dopy ໃນລະບົບ.
  • 976nm 10W 20W CW Diode Laser Bare Chip

    976nm 10W 20W CW Diode Laser Bare Chip

    The 976nm 10W 20W CW Diode Laser Bare Chip, ພະລັງງານຜົນຜະລິດຈາກ 10W ຫາ 20W, ຊີວິດຍາວ, ປະສິດທິພາບສູງ, ຖືກນໍາໃຊ້ຢ່າງກວ້າງຂວາງໃນປັ໊ມອຸດສາຫະກໍາ, ແສງເລເຊີ, R&D ແລະຂົງເຂດອື່ນໆ.
  • 808nm 35W High Power Fiber Coupled Diode Laser

    808nm 35W High Power Fiber Coupled Diode Laser

    808nm 35W High Power Fiber Coupled Diode Laser ມີລັກສະນະທີ່ສໍາຄັນດັ່ງຕໍ່ໄປນີ້: lasers ເຫຼົ່ານີ້ປະສິດທິພາບການເຊື່ອມໂລຫະສູງ, ຄວາມສະຫວ່າງສູງ, ທີ່ຢູ່ອາໄສປະທັບຕາ, ການເຊື່ອມເສັ້ນໄຍມາດຕະຖານສໍາລັບ 105um 0.22NA.
  • ພະລັງງານສູງ C-band 5W 37dBm EDFA Fiber Optical Amplifiers

    ພະລັງງານສູງ C-band 5W 37dBm EDFA Fiber Optical Amplifiers

    ເຄື່ອງຂະຫຍາຍສຽງສາຍໃຍແກ້ວນໍາແສງ EDFA C-band 5W 37dBm ສູງ (EYDFA-HP) ແມ່ນອີງໃສ່ເທກໂນໂລຍີເຄື່ອງຂະຫຍາຍເສັ້ນໄຍ erbium-doped double-clad, ນໍາໃຊ້ຂະບວນການຫຸ້ມຫໍ່ optical ເປັນເອກະລັກ, ບວກໃສ່ກັບການອອກແບບປ້ອງກັນ laser ພະລັງງານສູງທີ່ເຊື່ອຖືໄດ້, ເພື່ອ. ບັນ​ລຸ​ຜົນ​ຜະ​ລິດ laser ພະ​ລັງ​ງານ​ສູງ​ໃນ​ລະ​ດັບ 1540 ~ 1565nm wavelength​. ມີພະລັງງານສູງແລະສຽງຕ່ໍາ, ມັນສາມາດຖືກນໍາໃຊ້ໃນການສື່ສານ fiber optic, Lidar, ແລະອື່ນໆ.
  • ຄວາມຍາວຄື້ນຍາວ 2.0μm-band 1850~2000nm ASE Broadband Light Source

    ຄວາມຍາວຄື້ນຍາວ 2.0μm-band 1850~2000nm ASE Broadband Light Source

    Long Wavelength 2.0μm-band 1850~2000nm ASE Broadband Light Source ແມ່ນອີງໃສ່ເທກໂນໂລຍີເລເຊີເສັ້ນໄຍ thulium ແລະດ້ວຍພະລັງງານຜົນຜະລິດສູງ.
  • ບລັອກທີ່ກ່ຽວຂ້ອງ
  • ການທົບທວນຄືນ

  • ການສຳຫຼວດໜ້າຈໍການຖ່າຍຮູບອິນຟາເຣດໃກ້ໆ

    ການຖ່າຍຮູບ fluorescence ໄດ້ຖືກນໍາໃຊ້ຢ່າງກວ້າງຂວາງໃນຮູບພາບຊີວະພາບແລະການນໍາທາງທາງຄລີນິກ intraoperative. ເມື່ອ fluorescence ຂະຫຍາຍພັນໃນສື່ຊີວະພາບ, ການຫຼຸດຜ່ອນການດູດຊຶມແລະການລົບກວນການກະແຈກກະຈາຍຈະເຮັດໃຫ້ການສູນເສຍພະລັງງານ fluorescence ແລະອັດຕາສ່ວນສັນຍານຕໍ່ສຽງຫຼຸດລົງ, ຕາມລໍາດັບ. ໂດຍທົ່ວໄປແລ້ວ, ລະດັບການສູນເສຍການດູດຊຶມກໍານົດວ່າພວກເຮົາສາມາດ "ເບິ່ງ", ແລະຈໍານວນຂອງ photons ກະແຈກກະຈາຍກໍານົດວ່າພວກເຮົາສາມາດ "ເຫັນໄດ້ຊັດເຈນ". ນອກຈາກນັ້ນ, autofluorescence ຂອງ biomolecules ບາງແລະແສງສະຫວ່າງສັນຍານໄດ້ຖືກເກັບກໍາໂດຍລະບົບຮູບພາບແລະໃນທີ່ສຸດກໍກາຍເປັນພື້ນຫລັງຂອງຮູບພາບ. ດັ່ງນັ້ນ, ສໍາລັບການຖ່າຍຮູບ biofluorescence, ນັກວິທະຍາສາດກໍາລັງພະຍາຍາມຊອກຫາປ່ອງຢ້ຽມຮູບພາບທີ່ສົມບູນແບບທີ່ມີການດູດຊຶມ photon ຕ່ໍາແລະການກະແຈກກະຈາຍແສງສະຫວ່າງພຽງພໍ.

  • ຫົກພື້ນທີ່ຄໍາຮ້ອງສະຫມັກສໍາລັບເຊັນເຊີ UV

  • ຂະຫຍາຍໃຫຍ່ຂື້ນເປັນແຫລ່ງແສງສະຫວ່າງທີ່ມີຄວາມຖີ່ຂອງ Broadband

    ແຫລ່ງແສງສະຫວ່າງ ASE Broadband ສ້າງລະດັບປະດາລະດັບການປ່ອຍອາຍພິດແບບອັດຕະໂນມັດຜ່ານເສັ້ນໃຍທີ່ຫາຍາກໃນໂລກ (ເຊັ່ນ: E.g. , Erbium-Doped). Pumped ໂດຍ lasers semiconductor, ທີ່ຕື່ນເຕັ້ນເຮັດໃຫ້ photwons (ປົກກະຕິກວມເອົາ c-band, ໂດຍປົກກະຕິແລ້ວ .665nm ແລະ l-band

  • ຄວາມແຕກຕ່າງລະຫວ່າງອັດຕາສ່ວນການສູນພັນ Polarization ແລະລະດັບຂອງ Polarization

    ອັດຕາສ່ວນການສູນພັນ Polarization ແລະລະດັບ polarization ແມ່ນທັງສອງປະລິມານທາງກາຍະພາບທີ່ອະທິບາຍສະຖານະຂອງແສງ polarization, ແຕ່ຄວາມຫມາຍແລະສະຖານະການຄໍາຮ້ອງສະຫມັກຂອງພວກມັນແຕກຕ່າງກັນ.

  • ເຊັນເຊີກະແສໄຟເບີ optic

    ເຊັນເຊີກະແສໄຟເບີ optic ແມ່ນອຸປະກອນຕາຂ່າຍໄຟຟ້າອັດສະລິຍະທີ່ຫຼັກການໃຊ້ຜົນກະທົບ Faraday ຂອງໄປເຊຍກັນ magneto-optical.

  • ເຕັກໂນໂລຊີທີ່ສໍາຄັນຂອງ diode laser ພະລັງງານສູງ

    ການເພີ່ມປະສິດທິພາບການອອກແບບໂຄງສ້າງ: ສາມຫຼັກການພື້ນຖານຂອງເລເຊີ semiconductor ແມ່ນ: ການສີດໄຟຟ້າແລະການກັກຂັງ, ການແປງໄຟຟ້າ - optical, ການກັກຂັງ optical ແລະຜົນຜະລິດ, ເຊິ່ງສອດຄ່ອງກັບການອອກແບບສີດໄຟຟ້າ, ການອອກແບບດີ quantum, ແລະການອອກແບບພາກສະຫນາມ optical ຂອງໂຄງສ້າງ waveguide ຕາມລໍາດັບ. ການເພີ່ມປະສິດທິພາບໂຄງສ້າງຂອງ quantum wells, ສາຍ quantum, ຈຸດ quantum, ແລະໄປເຊຍກັນ photonic ໄດ້ສົ່ງເສີມການປັບປຸງຢ່າງຕໍ່ເນື່ອງຂອງເຕັກໂນໂລຊີ laser, ເຮັດໃຫ້ພະລັງງານຜົນຜະລິດແລະປະສິດທິພາບການແປງ electro-optical ຂອງ lasers ສູງຂຶ້ນແລະສູງຂຶ້ນ, ຄຸນນະພາບ beam ດີຂຶ້ນແລະດີກວ່າ, ແລະສູງຂຶ້ນ. ຄວາມຫນ້າເຊື່ອຖື.

ສົ່ງສອບຖາມ

ລິຂະສິດ @ 2020 ກ່ອງເຕັກໂນໂລຍີ SHENZHEN Technology.