915nm 20W Pump Laser Diode 105µm 0.22NA Fiber Coupled Laser Diode ຜູ້ຜະລິດ

ຊິບ 1mm InGaAs/InP PIN Photodiode ສະຫນອງການຕອບສະຫນອງທີ່ດີເລີດຈາກ 900nm ຫາ 1700nm, 1mm InGaAs/InP PIN Photodiode Chip ແມ່ນເຫມາະສົມສໍາລັບຄໍາຮ້ອງສະຫມັກເຄືອຂ່າຍ optical ແບນວິດສູງ 1310nm ແລະ 1550nm. ຊຸດອຸປະກອນສະຫນອງການຕອບສະຫນອງສູງ, ປະຈຸບັນຊ້ໍາຕ່ໍາແລະແບນວິດສູງສໍາລັບປະສິດທິພາບສູງແລະການອອກແບບຕົວຮັບຄວາມອ່ອນໄຫວຕ່ໍາ. ອຸ​ປະ​ກອນ​ນີ້​ແມ່ນ​ເຫມາະ​ສົມ​ສໍາ​ລັບ​ຜູ້​ຜະ​ລິດ​ຂອງ optical receivers​, transponders​, ໂມ​ດູນ​ສາຍ​ສົ່ງ optical ແລະ​ການ​ປະ​ສົມ​ປະ​ສານ PIN photo diode — transimpedance amplifier​.

976nm 980nm Laser Diode 400mW Pump fiber couple line of single mode, cooled 980 nm pump lasers deliver up to 700mW of fiber-coupled power. ໂມດູນໄດ້ຖືກຫຸ້ມຫໍ່ໂດຍໃຊ້ເທກໂນໂລຍີທີ່ຍັງຄ້າງສິດທິບັດທີ່ເປັນເອກະລັກສໍາລັບການສອດຄ່ອງເສັ້ນໄຍຖາວອນ. ສະຫນອງປະສິດທິພາບດ້ານແສງແລະໄຟຟ້າທີ່ມີຊີວິດຊີວາທີ່ເຫນືອກວ່າ, ບັນລຸໄດ້ໂດຍການຮັກສາຄວາມຫມັ້ນຄົງສູງ, ລັອກການຈັດຕໍາແຫນ່ງແກນທັງຫມົດລະຫວ່າງຊິບເລເຊີແລະປາຍຂອງເສັ້ນໄຍຮູບແບບດຽວ. ຊຸດ butterfly 14 pin ທີ່ຜະນຶກເຂົ້າກັນແບບ hermetically ແມ່ນມີຢູ່ກັບເສັ້ນໄຍ Bragg grating ແລະປະກອບມີເຄື່ອງເຮັດຄວາມເຢັນ thermoelectric, ເຄື່ອງເຮັດຄວາມຮ້ອນ, ຈໍພາບ photodiode. ເສັ້ນໄຍ Bragg grating ລັອກຄວາມຍາວຂອງສູນກາງໄດ້ຊັດເຈນໃນໄລຍະພະລັງງານຂະຫຍາຍແລະອຸນຫະພູມ. ຄວາມຍາວຂອງຄື້ນກາງຢູ່ໃນຂອບເຂດຂອງ 976 nm ຫາ 980 nm ສາມາດໃຊ້ໄດ້ກັບການຄວບຄຸມຄວາມຍາວຂອງຄື້ນທີ່ໃກ້ຊິດ.

The 915nm 200W Laser Diode High Power Fiber Coupled Module ສະເໜີໃຫ້ເຖິງ 200 ວັດຂອງ CW optical output power into a 106 or 200 micrometer fiber pigtail. ອຸປະກອນເຫຼົ່ານີ້ແມ່ນອີງໃສ່ການອອກແບບ emitter ດຽວທີ່ມີຄວາມຫນ້າເຊື່ອຖືສູງ. ການອອກແບບໂດຍອີງໃສ່ emitter ດຽວຂອງພວກເຂົາສະຫນອງການລະບາຍຄວາມຮ້ອນໄດ້ດີຫຼາຍໂດຍຜ່ານຊຸດທີ່ນໍາໄປສູ່ການປະຕິບັດຄວາມຮ້ອນທີ່ດີເລີດຕະຫຼອດຊີວິດຍາວ. ຂະບວນການຂັ້ນສູງສໍາລັບປະສິດທິພາບການເຊື່ອມຕົວຊ່ວຍໃຫ້ໂມດູນເຫຼົ່ານີ້ສົ່ງເຖິງ 95% ຂອງພະລັງງານຜົນຜະລິດຂອງພວກເຂົາພາຍໃນ 0.22 NA. ພວກເຂົາເຈົ້າສົ່ງກັບ 1.5 ແມັດ (typ.) pigtail ເສັ້ນໄຍ unterminated.

1270nm 5mW TO-CAN DFB Laser Diode ນີ້ແມ່ນຜະລິດຕະພັນທີ່ສາມາດປະຕິບັດໄດ້ໃນໄລຍະອຸນຫະພູມກວ້າງທີ່ມີຄ່າສໍາປະສິດຂອງຄື້ນຟອງອຸນຫະພູມຕ່ໍາ. ມັນເຫມາະສົມດີສໍາລັບຄໍາຮ້ອງສະຫມັກເຊັ່ນ: ການຄົ້ນຄວ້າການສື່ສານ, interferometry, ແລະ optical reflectometry ສໍາລັບການວັດແທກໄລຍະຫ່າງໃນເສັ້ນໄຍຫຼືພື້ນທີ່ຫວ່າງ. ແຕ່ລະອຸປະກອນຜ່ານການທົດສອບແລະການເຜົາໄຫມ້. ເລເຊີນີ້ມາຫຸ້ມຫໍ່ຢູ່ໃນກະປ໋ອງຂະໜາດ 5.6 ມມ. ມັນບັນຈຸມີເລນໂຟກັສ aspheric ປະສົມປະສານຢູ່ໃນຫມວກ, ເຮັດໃຫ້ຈຸດໂຟກັສແລະຮູຮັບແສງຕົວເລກ (NA) ຖືກຈັບຄູ່ກັບເສັ້ນໄຍ SMF-28e+.

ເລເຊີ 808nm 8W 200um Multimode Fiber Diode Laser ໃຫ້ພະລັງງານສູງສຸດ 8 ວັດ CW ຈາກເສັ້ນໄຍ 200 µm. ພວກມັນແມ່ນອຸປະກອນ emitter ດຽວ Fabry-Perot. ຮູບແບບທີ່ອ້າງອີງໃນລາຍການຜະລິດຕະພັນນີ້ມີຮູຮັບແສງຕົວເລກ 0.22. ເສັ້ນໄຍແມ່ນບໍ່ມີການສິ້ນສຸດສໍາລັບການເຊື່ອມໂດຍກົງກັບຊັ້ນຂອງຕົວຢ່າງຫຼືເສັ້ນໄຍ cladding ຂອງທ່ານ. ໂມດູນປັ໊ມ multimode ຊຸດ 915nm 10W ສະຫນອງຄວາມສະຫວ່າງສູງ, ຮອຍຕີນຂະຫນາດນ້ອຍແລະການຄຸ້ມຄອງຄວາມຮ້ອນທີ່ງ່າຍດາຍໂດຍການແຈກຢາຍ laser diodes ແລະ dissipating ແຫຼ່ງຄວາມຮ້ອນ.

ເສັ້ນໄຍ C-band Erbium-doped ຖືກອອກແບບມາສໍາລັບເຄື່ອງຂະຫຍາຍສາຍໄຟເບີ C-band ຊ່ອງດຽວແລະຫຼາຍຊ່ອງ, ແຫຼ່ງແສງສະຫວ່າງ ASE, EDFA ສໍາລັບເຄືອຂ່າຍເຂດຕົວເມືອງ, EDFA ສໍາລັບ CATV, ແລະ EDFA ສໍາລັບ DWDM. ເສັ້ນໄຍ optical ສາມາດສູບໄດ້ຢູ່ທີ່ 980 nm ຫຼື 1480 nm, ແລະມັນມີການສູນເສຍຕ່ໍາແລະຄວາມສອດຄ່ອງທີ່ດີໃນເວລາທີ່ເຊື່ອມຕໍ່ກັບເສັ້ນໄຍ optical ການສື່ສານ.