+86-0755 21009302  
  ricky01@boxoptronics.com
ຜະລິດຕະພັນ
ບ້ານ > ຜະລິດຕະພັນ > 915nm 20W Pump Laser Diode 105µm 0.22NA Fiber Coupled Laser Diode

915nm 20W Pump Laser Diode 105µm 0.22NA Fiber Coupled Laser Diode ຜູ້ຜະລິດ

ໂຮງງານຜະລິດຂອງພວກເຮົາສະຫນອງໂມດູນເລເຊີເສັ້ນໄຍ, ໂມດູນເລເຊີ ultrafast, ເລເຊີ diode ພະລັງງານສູງ. ບໍລິສັດຂອງພວກເຮົາຮັບຮອງເອົາເຕັກໂນໂລຊີຂະບວນການຕ່າງປະເທດ, ມີອຸປະກອນການຜະລິດແລະການທົດສອບກ້າວຫນ້າທາງດ້ານ, ໃນຊຸດການເຊື່ອມອຸປະກອນ, ການອອກແບບໂມດູນມີເຕັກໂນໂລຊີຊັ້ນນໍາແລະປະໂຫຍດການຄວບຄຸມຄ່າໃຊ້ຈ່າຍ, ເຊັ່ນດຽວກັນກັບລະບົບການຮັບປະກັນຄຸນນະພາບທີ່ສົມບູນແບບ, ສາມາດຮັບປະກັນການສະຫນອງປະສິດທິພາບສູງສໍາລັບລູກຄ້າ. , ຜະລິດຕະພັນ optoelectronic ຄຸນະພາບທີ່ເຊື່ອຖືໄດ້.

ຜະ​ລິດ​ຕະ​ພັນ​ທີ່​ກ່ຽວ​ຂ້ອງ

ຜະລິດຕະພັນຮ້ອນ

  • L-band Erbium-doped Fiber

    L-band Erbium-doped Fiber

    ເສັ້ນໄຍ L-band erbium-doped ແມ່ນ doped ແລະເຫມາະສໍາລັບເຄື່ອງຂະຫຍາຍສາຍໄຟເບີ L-band ຊ່ອງດຽວແລະຫຼາຍຊ່ອງ, ແຫຼ່ງແສງສະຫວ່າງ ASE, ເຄືອຂ່າຍເຂດຕົວເມືອງ, CATV, ແລະ EDFA ສໍາລັບ DWDM. doping ສູງສາມາດຫຼຸດຜ່ອນຄວາມຍາວຂອງເສັ້ນໄຍ erbium, ດັ່ງນັ້ນການຫຼຸດຜ່ອນຜົນກະທົບ nonlinear ຂອງເສັ້ນໄຍ. ເສັ້ນໄຍສາມາດຖືກສູບຢູ່ທີ່ 980 nm ຫຼື 1480 nm, ແລະມີການສູນເສຍຕ່ໍາແລະຄວາມສອດຄ່ອງທີ່ດີກັບການເຊື່ອມຕໍ່ເສັ້ນໄຍການສື່ສານ.
  • 976nm 9W VBG Stabilized Wavelength Diode Laser

    976nm 9W VBG Stabilized Wavelength Diode Laser

    The 976nm 9W VBG Stabilized Wavelength Diode Laser ແມ່ນການແກ້ໄຂຫລ້າສຸດໃນເວທີ L4 ຂອງພວກເຮົາສໍາລັບຕະຫຼາດການສູບເລເຊີເສັ້ນໄຍ. ການອອກແບບ laser diode, ເຊິ່ງ leverages ຮອຍຕີນ L4, ສະຫນອງລະດັບສູງຂອງການປົກປ້ອງຄໍາຄຶດຄໍາເຫັນຈາກເສັ້ນໄຍ laser wavelength ໃດ. 976nm 9W VBG Stabilized Wavelength Diode Laser ປະສົມປະສານ VBG ເພື່ອສະຖຽນລະພາບຄວາມຍາວຂອງຄື້ນ. ເລເຊີ 976nm 9W VBG Stabilized Wavelength Diode Laser ໃຫ້ພະລັງງານ 9W ຈາກເສັ້ນໄຍ 105 µm.
  • C-band 1550nm ASE Broadband Light Source ສໍາລັບການແກ້ໄຂການແພດ

    C-band 1550nm ASE Broadband Light Source ສໍາລັບການແກ້ໄຂການແພດ

    ໃນຖານະເປັນການຜະລິດມືອາຊີບ, ພວກເຮົາຕ້ອງການໃຫ້ທ່ານ C-band era 1550nm ase ase Broadband Light Source ສໍາລັບການແກ້ໄຂຮູບເງົາ. ແລະພວກເຮົາຈະສະເຫນີການບໍລິການຫລັງການຂາຍທີ່ດີທີ່ສຸດແລະການຈັດສົ່ງໃຫ້ທັນເວລາ.
  • 450nm 10W Multimode Fiber Coupled Laser Diode

    450nm 10W Multimode Fiber Coupled Laser Diode

    450nm 10W Multimode Fiber Coupled Laser Diode ສະຫນອງພະລັງງານຜົນຜະລິດສູງເຖິງ 10W ຈາກເສັ້ນໄຍ 106um. ໄດໂອດເລເຊີຮັກສາຄວາມຫນ້າເຊື່ອຖືແລະປະສິດທິພາບທີ່ບໍ່ສາມາດປຽບທຽບໄດ້ໂດຍການ coupling ຄວາມສະຫວ່າງສູງ, ພະລັງງານສູງ diodes ດຽວ emitter ທີ່ມີການອອກແບບ optical ທີ່ເປັນເຈົ້າຂອງສໍາລັບການ coupling ເສັ້ນໄຍປະສິດທິພາບ.
  • ປະສິດທິພາບສູງ 1450nm DFB Butterfly Laser Diode

    ປະສິດທິພາບສູງ 1450nm DFB Butterfly Laser Diode

    ປະສິດທິພາບສູງ 1450nm DFB Butterfly Laser Diode ສ້າງໃນຕົວ photodiode ຈໍພາບ, ເຄື່ອງເຮັດຄວາມເຢັນ TEC ແລະເຄື່ອງເຮັດຄວາມຮ້ອນໄຟຟ້າ, ຮູບແບບດຽວຫຼື Polarization ຮັກສາ pigtail ເສັ້ນໄຍ, ຄ່າສໍາປະສິດຄວາມຍາວຂອງຄື້ນ / ອຸນຫະພູມ 0.01nm / âƒ.
  • 1um double clad fiber ທີ່ກົງກັນຂ້າມ

    1um double clad fiber ທີ່ກົງກັນຂ້າມ

    ເສັ້ນໃຍທີ່ມີການຈັບຄູ່ແບບກົງກັນຂ້າມ 1um - ເຮັດໃຫ້ມີການອອກແບບສໍາລັບເນື້ອງອກ1μmຫຼື lasers ໃຍປະມານແລະຍາວ. ມັນມີຄຸນລັກສະນະຂອງການຈັບຄູ່ທີ່ສູງ, ການສູນເສຍທີ່ຕ່ໍາ, ຄວາມສອດຄ່ອງແລະຄວາມຫມັ້ນຄົງສູງ, ຮັບປະກັນການນໍາໃຊ້ເສັ້ນໃຍ ytothium-dopy ໃນລະບົບ.
  • ບລັອກທີ່ກ່ຽວຂ້ອງ
  • ການທົບທວນຄືນ

  • ເຄື່ອງຂະຫຍາຍໄຟເບີ

    ເຄື່ອງຂະຫຍາຍສຽງໃຍແກ້ວນໍາແສງເປັນເຄື່ອງຂະຫຍາຍສຽງແບບໃໝ່ທັງໝົດທີ່ໃຊ້ໃນສາຍສື່ສານສາຍໃຍແສງເພື່ອຮັບຮູ້ການຂະຫຍາຍສັນຍານ. ອີງຕາມຕໍາແຫນ່ງແລະຫນ້າທີ່ຂອງມັນຢູ່ໃນເສັ້ນໃຍແກ້ວນໍາແສງ, ມັນໄດ້ຖືກແບ່ງອອກໂດຍທົ່ວໄປເປັນການຂະຫຍາຍ relay, pre amplification ແລະການຂະຫຍາຍພະລັງງານ.

  • GPON ແມ່ນຫຍັງ?

    ເຕັກໂນໂລຍີ GPON (Gigabit-Capable PON) ແມ່ນລຸ້ນໃໝ່ຫຼ້າສຸດຂອງມາດຕະຖານການເຂົ້າເຖິງແບບປະສົມປະສານຂອງບໍລະອົດແບນແບບ passive optical ໂດຍອີງໃສ່ມາດຕະຖານ ITU-TG.984.x. ມັນມີຄວາມໄດ້ປຽບຫຼາຍເຊັ່ນແບນວິດສູງ, ປະສິດທິພາບສູງ, ການຄຸ້ມຄອງຂະຫນາດໃຫຍ່, ແລະການໂຕ້ຕອບຜູ້ໃຊ້ທີ່ອຸດົມສົມບູນ. ຜູ້ປະກອບການສ່ວນໃຫຍ່ຖືວ່າມັນເປັນເທກໂນໂລຍີທີ່ເໝາະສົມເພື່ອຮັບຮູ້ການຫັນປ່ຽນຄວາມກວ້າງໄກ ແລະ ຮອບດ້ານຂອງການບໍລິການເຄືອຂ່າຍເຂົ້າເຖິງ.

  • ຄໍາອະທິບາຍລາຍລະອຽດຂອງຫຼັກການການເຮັດວຽກຂອງ optical isolator

    ຄໍາຮ້ອງສະຫມັກຕົ້ນຕໍ: ລະບົບສາຍສົ່ງ unidirectional, ສະກັດກັ້ນແສງສະຫວ່າງກັບຄືນໄປບ່ອນ, ການປົກປ້ອງ lasers ແລະເຄື່ອງຂະຫຍາຍສາຍໄຟເບີ

  • ເລເຊີເສັ້ນແຄບ

    ບາງຄໍາຮ້ອງສະຫມັກ laser ຕ້ອງການ laser ມີເສັ້ນແຄບຫຼາຍ, ນັ້ນແມ່ນ, spectrum ແຄບ. lasers linewidth ແຄບຫມາຍເຖິງ lasers ຄວາມຖີ່ດຽວ, ນັ້ນແມ່ນ, ມີໂຫມດຢູ່ຕາມໂກນ resonant ໃນຄ່າ laser, ແລະສິ່ງລົບກວນໄລຍະແມ່ນຕ່ໍາຫຼາຍ, ສະນັ້ນຄວາມບໍລິສຸດ spectral ແມ່ນສູງຫຼາຍ. ໂດຍປົກກະຕິແລ້ວເລເຊີດັ່ງກ່າວມີສຽງລົບກວນຄວາມເຂັ້ມຂຸ້ນຕໍ່າຫຼາຍ.

  • ຮູ laser diffractive ຂະຫຍາຍອາຍຸການເກັບຮັກສາຂອງຜະລິດຕະພັນຫຸ້ມຫໍ່

  • ເລເຊີປ່ອຍແສງຢູ່ດ້ານຕາມແນວຕັ້ງ

    ເລເຊີ emitting ພື້ນຜິວຢູ່ຕາມໂກນແນວຕັ້ງແມ່ນ laser semiconductor ລຸ້ນໃຫມ່ທີ່ໄດ້ຮັບການພັດທະນາຢ່າງໄວວາໃນຊຸມປີມໍ່ໆມານີ້. ອັນທີ່ເອີ້ນວ່າ "ການປ່ອຍອາຍພິດພື້ນຜິວຕາມໂກນແນວຕັ້ງ" ຫມາຍຄວາມວ່າທິດທາງການປ່ອຍອາຍພິດຂອງເລເຊີແມ່ນຕັ້ງຂວາງກັບຍົນ cleavage ຫຼືຫນ້າດິນ substrate. ວິທີການປ່ອຍອາຍພິດອີກອັນຫນຶ່ງທີ່ສອດຄ້ອງກັນເອີ້ນວ່າ "ການປ່ອຍອາຍພິດຂອບ". ເລເຊີ semiconductor ແບບດັ້ງເດີມຮັບຮອງເອົາຮູບແບບການປ່ອຍອາຍພິດຂອບ, ນັ້ນແມ່ນ, ທິດທາງການປ່ອຍອາຍພິດຂອງເລເຊີແມ່ນຂະຫນານກັບພື້ນຜິວ substrate. ເລເຊີຊະນິດນີ້ເອີ້ນວ່າ laser edge-emitting laser (EEL). ເມື່ອປຽບທຽບກັບ EEL, VCSEL ມີຄວາມໄດ້ປຽບຂອງຄຸນນະພາບ beam ທີ່ດີ, ຜົນຜະລິດຮູບແບບດຽວ, ແບນວິດ modulation ສູງ, ຊີວິດຍາວ, ການເຊື່ອມໂຍງແລະການທົດສອບໄດ້ງ່າຍ, ແລະອື່ນໆ, ດັ່ງນັ້ນມັນໄດ້ຖືກນໍາໃຊ້ຢ່າງກວ້າງຂວາງໃນການສື່ສານ optical, ການສະແດງ optical, optical sensing ແລະອື່ນໆ. ທົ່ງນາ.

ສົ່ງສອບຖາມ

ລິຂະສິດ @ 2020 ກ່ອງເຕັກໂນໂລຍີ SHENZHEN Technology.