+86-0755 21009302  
  ricky01@boxoptronics.com
ຜະລິດຕະພັນ
ບ້ານ > ຜະລິດຕະພັນ > PIN Photodetector

PIN Photodetector ຜູ້ຜະລິດ

ໂຮງງານຜະລິດຂອງພວກເຮົາສະຫນອງໂມດູນເລເຊີເສັ້ນໄຍ, ໂມດູນເລເຊີ ultrafast, ເລເຊີ diode ພະລັງງານສູງ. ບໍລິສັດຂອງພວກເຮົາຮັບຮອງເອົາເຕັກໂນໂລຊີຂະບວນການຕ່າງປະເທດ, ມີອຸປະກອນການຜະລິດແລະການທົດສອບກ້າວຫນ້າທາງດ້ານ, ໃນຊຸດການເຊື່ອມອຸປະກອນ, ການອອກແບບໂມດູນມີເຕັກໂນໂລຊີຊັ້ນນໍາແລະປະໂຫຍດການຄວບຄຸມຄ່າໃຊ້ຈ່າຍ, ເຊັ່ນດຽວກັນກັບລະບົບການຮັບປະກັນຄຸນນະພາບທີ່ສົມບູນແບບ, ສາມາດຮັບປະກັນການສະຫນອງປະສິດທິພາບສູງສໍາລັບລູກຄ້າ. , ຜະລິດຕະພັນ optoelectronic ຄຸນະພາບທີ່ເຊື່ອຖືໄດ້.

ຜະ​ລິດ​ຕະ​ພັນ​ທີ່​ກ່ຽວ​ຂ້ອງ

ຜະລິດຕະພັນຮ້ອນ

  • 1510nm DFB Butterfly Fiber Coupled Laser Diode

    1510nm DFB Butterfly Fiber Coupled Laser Diode

    1510nm DFB Butterfly Fiber Coupled Laser Diode ປະສິດທິພາບສູງ DFB laser diode ແມ່ນເສັ້ນໄຍສົມທົບກັບເສັ້ນໃຍແສງຮູບແບບດຽວ. ພະລັງງານຜົນຜະລິດ CW ແມ່ນຂຶ້ນກັບຄວາມຍາວຂອງຄື້ນແລະຢູ່ລະຫວ່າງ 2mW ແລະ 20mW. ສະຫນອງໃຫ້ຢູ່ໃນມາດຕະຖານ 14-pin butterfly mount, laser diodes ເຫຼົ່ານີ້ມີການກໍ່ສ້າງໃນ photodiode ຕິດຕາມກວດກາ, Peltier ຜົນກະພິບ thermoelectric cooler, thermistor, ແລະ optical isolator. ເສັ້ນໄຍຜົນຜະລິດ optical SMF-28 ຫຼື PM ສາມາດຖືກປິດດ້ວຍຕົວເຊື່ອມຕໍ່ SC/PC, FC/PC, SC/APC, ຫຼື FC/APC.
  • 850nm 10mW Superluminescent Diode sld diode

    850nm 10mW Superluminescent Diode sld diode

    850nm 10mW Superluminescent Diode sld diode ເປັນແຫຼ່ງແສງສະຫວ່າງສໍາລັບຄໍາຮ້ອງສະຫມັກ ophthalmic ແລະທາງການແພດ OCT, ລະບົບສາຍສົ່ງເສັ້ນໄຍ, ໃຍແກ້ວນໍາແສງ gyros, ເຊັນເຊີໃຍແກ້ວນໍາແສງ, tomography optical coherence, ການວັດແທກ optical. diode ໄດ້ຖືກຫຸ້ມຫໍ່ຢູ່ໃນຊຸດ butterfly ມາດຕະຖານ 14-pin ທີ່ມີຈໍພາບ photodiode ແລະເຄື່ອງເຮັດຄວາມເຢັນ thermo-electric (TEC). ໂມດູນແມ່ນ pigtailed ກັບຮູບແບບດຽວ polarization ຮັກສາເສັ້ນໄຍແລະເຊື່ອມຕໍ່ໂດຍ FC / APC connector.
  • ຊິບ Photodiode 1mm InGaAs/InP PIN

    ຊິບ Photodiode 1mm InGaAs/InP PIN

    ຊິບ 1mm InGaAs/InP PIN Photodiode ສະຫນອງການຕອບສະຫນອງທີ່ດີເລີດຈາກ 900nm ຫາ 1700nm, 1mm InGaAs/InP PIN Photodiode Chip ແມ່ນເຫມາະສົມສໍາລັບຄໍາຮ້ອງສະຫມັກເຄືອຂ່າຍ optical ແບນວິດສູງ 1310nm ແລະ 1550nm. ຊຸດອຸປະກອນສະຫນອງການຕອບສະຫນອງສູງ, ປະຈຸບັນຊ້ໍາຕ່ໍາແລະແບນວິດສູງສໍາລັບປະສິດທິພາບສູງແລະການອອກແບບຕົວຮັບຄວາມອ່ອນໄຫວຕ່ໍາ. ອຸ​ປະ​ກອນ​ນີ້​ແມ່ນ​ເຫມາະ​ສົມ​ສໍາ​ລັບ​ຜູ້​ຜະ​ລິດ​ຂອງ optical receivers​, transponders​, ໂມ​ດູນ​ສາຍ​ສົ່ງ optical ແລະ​ການ​ປະ​ສົມ​ປະ​ສານ PIN photo diode — transimpedance amplifier​.
  • 975nm 976nm 130W Fiber Coupled Diode Laser

    975nm 976nm 130W Fiber Coupled Diode Laser

    975nm 976nm 130W Fiber Coupled Diode Laser ແມ່ນ Wavelength-Stabilized laser diode, ມັນສາມາດສະຖຽນລະພາບແລະຮູບຮ່າງຂອງ spectrum ການປ່ອຍອາຍພິດຂອງ laser diodes ພະລັງງານສູງສໍາລັບຄໍາຮ້ອງສະຫມັກຈໍານວນຫລາຍລວມທັງການສູບເລເຊີແຂງ, ການສູບ laser ເສັ້ນໄຍ, ຄວາມລະອຽດສູງ Raman spectroscopy ແລະຄໍາຮ້ອງສະຫມັກອື່ນໆ. ແຫຼ່ງ laser ຄວາມກວ້າງຂອງເສັ້ນແຄບທີ່ທົນທານຕໍ່ອຸນຫະພູມພະລັງງານສູງ.
  • 915nm 30W 2-PIN Multimode Laser Diode

    915nm 30W 2-PIN Multimode Laser Diode

    915nm 30W 2-PIN Multimode Laser Diode ຖືກອອກແບບແລະຜະລິດໂດຍ BoxOptronics, ມັນມີຄວາມຕ້ອງການທີ່ມີປະສິດທິພາບສູງແລະຄວາມຫນ້າເຊື່ອຖືສູງສໍາລັບການສູບເລເຊີເສັ້ນໄຍແລະແຂງ.
  • C-band Erbium-doped Fiber

    C-band Erbium-doped Fiber

    ເສັ້ນໄຍ C-band Erbium-doped ຖືກອອກແບບມາສໍາລັບເຄື່ອງຂະຫຍາຍສາຍໄຟເບີ C-band ຊ່ອງດຽວແລະຫຼາຍຊ່ອງ, ແຫຼ່ງແສງສະຫວ່າງ ASE, EDFA ສໍາລັບເຄືອຂ່າຍເຂດຕົວເມືອງ, EDFA ສໍາລັບ CATV, ແລະ EDFA ສໍາລັບ DWDM. ເສັ້ນໄຍ optical ສາມາດສູບໄດ້ຢູ່ທີ່ 980 nm ຫຼື 1480 nm, ແລະມັນມີການສູນເສຍຕ່ໍາແລະຄວາມສອດຄ່ອງທີ່ດີໃນເວລາທີ່ເຊື່ອມຕໍ່ກັບເສັ້ນໄຍ optical ການສື່ສານ.
  • ບລັອກທີ່ກ່ຽວຂ້ອງ
  • ການທົບທວນຄືນ

  • Avalanche Photodiode

    Photodiode ທີ່ມີການຂະຫຍາຍສັນຍານພາຍໃນໂດຍຂະບວນການ avalanche

  • ວິທີການທົດສອບການສົ່ງແລະການສະທ້ອນຂອງອົງປະກອບ optical?

    ເມື່ອ​ແສງ​ຕົກ​ຄ້າງ​ຕົກ​ຈາກ​ໜ້າ​ທີ່​ທີ່​ມີ​ແສງ​ແຈ້ງ ຫຼື​ດ້ານ​ທີ່​ເກີດ​ຂຶ້ນ​ຂອງ​ໄຟ​ກາງ​ໄປ​ຫາ​ອີກ​ດ້ານ​ໜຶ່ງ, ອັດ​ຕາ​ສ່ວນ​ຂອງ​ພະ​ລັງ​ງານ​ລັງສີ​ທີ່​ຄາດ​ຄະ​ເນ ແລະ ສົ່ງ​ຜ່ານ​ວັດ​ຖຸ​ໄປ​ຫາ​ພະ​ລັງ​ງານ radiant ທັງ​ຫມົດ​ທີ່​ຄາດ​ຄະ​ເນ​ໃສ່​ວັດ​ຖຸ​ໄດ້​ຖືກ​ເອີ້ນ​ວ່າ​ການ​ສົ່ງ​ຂອງ​ວັດ​ຖຸ. . ເປີເຊັນຂອງພະລັງງານ radiant ທີ່ສະທ້ອນໂດຍວັດຖຸຕໍ່ກັບພະລັງງານ radiant ທັງຫມົດເອີ້ນວ່າການສະທ້ອນ.

  • ຫຼັກການພື້ນຖານແລະຄໍາຮ້ອງສະຫມັກຂອງຄວາມຖີ່ດຽວ, lasers linewid ແຄບ

    Teraxion's Pureshipion NLE UNCTIONTROM NLTION ໃຊ້ເຕັກໂນໂລຢີທີ່ປະສົມປະສານກັບເສັ້ນໃຍທີ່ປ່ຽນເປັນເສັ້ນໃຍທີ່ມີຄວາມຍາວໃນໄລຍະ ຫຼັກການຫຼັກຂອງມັນແມ່ນການຕິດຕາມກວດກາຄວາມຖີ່ຂອງ laser ໃນເວລາຈິງໂດຍໃຊ້ການຈໍາແນກທາງດ້ານການຄ້າ.

  • Master Oscillator Power Amplifier

    Master Oscillator Power-Amplifier. ເມື່ອປຽບທຽບກັບ lasers ແຂງແລະອາຍແກັສແບບດັ້ງເດີມ, lasers ເສັ້ນໄຍມີຂໍ້ໄດ້ປຽບດັ່ງຕໍ່ໄປນີ້: ປະສິດທິພາບການແປງສູງ (ປະສິດທິພາບການແປງແສງເປັນແສງສະຫວ່າງໃນໄລຍະ 60%), ໃກ້ຈະເຂົ້າສູ່ laser ຕ່ໍາ; ໂຄງປະກອບການງ່າຍດາຍ, ອຸປະກອນການເຮັດວຽກແມ່ນມີຄວາມຍືດຫຍຸ່ນຂະຫນາດກາງ, ງ່າຍຕໍ່ການນໍາໃຊ້; ຄຸນ​ນະ​ພາບ​ສູງ beam (ມັນ​ເປັນ​ການ​ງ່າຍ​ທີ່​ຈະ​ເຂົ້າ​ໃກ້​ຂອບ​ເຂດ​ຈໍາ​ກັດ diffraction ໄດ້​)​; ຜົນຜະລິດເລເຊີມີເສັ້ນ spectral ຫຼາຍແລະລະດັບການປັບກວ້າງ (455 ~ 3500nm); ຂະຫນາດນ້ອຍ, ນ້ໍາຫນັກເບົາ, ຜົນກະທົບການກະຈາຍຄວາມຮ້ອນທີ່ດີແລະຊີວິດການບໍລິການຍາວ.

  • ຕົວກໍານົດການ laser ກໍາມະຈອນ

    ໃນຊຸມປີມໍ່ໆມານີ້, ດ້ວຍການຂະຫຍາຍຕົວຢ່າງຕໍ່ເນື່ອງຂອງການນໍາໃຊ້ເລເຊີທີ່ມີກໍາມະຈອນ, ພະລັງງານຜົນຜະລິດສູງແລະພະລັງງານກໍາມະຈອນດຽວສູງຂອງ lasers ກໍາມະຈອນບໍ່ແມ່ນເປົ້າຫມາຍທີ່ບໍລິສຸດຕໍ່ໄປອີກແລ້ວ. ໃນທາງກົງກັນຂ້າມ, ຕົວກໍານົດການທີ່ສໍາຄັນກວ່າແມ່ນ: ຄວາມກວ້າງຂອງກໍາມະຈອນ, ຮູບຮ່າງຂອງກໍາມະຈອນແລະຄວາມຖີ່ຂອງການຊໍ້າຊ້ອນ. ເກືອບພຽງແຕ່ເບິ່ງຕົວກໍານົດການນີ້, ທ່ານສາມາດຕັດສິນວ່າເລເຊີມີອໍານາດຫຼາຍປານໃດ. ຮູບຮ່າງຂອງກໍາມະຈອນ (ໂດຍສະເພາະເວລາເພີ່ມຂຶ້ນ) ມີຜົນກະທົບໂດຍກົງວ່າຄໍາຮ້ອງສະຫມັກສະເພາະໃດຫນຶ່ງສາມາດບັນລຸຜົນກະທົບທີ່ຕ້ອງການ. ຄວາມຖີ່ຂອງການຊໍ້າຄືນຂອງກໍາມະຈອນມັກຈະກໍານົດອັດຕາການດໍາເນີນງານແລະປະສິດທິພາບຂອງລະບົບ.

  • ຫລັກການປົກຄອງ

    ຫຼັກການຂອງ lasers ແມ່ນອີງໃສ່ການກະຕຸ້ນການປ່ອຍອາຍພິດ, ການສະເຫນີກ່ອນໂດຍ Einstein ໃນຕົ້ນສະຕະວັດທີ 20. ຂະບວນການຕົ້ນຕໍແມ່ນດັ່ງຕໍ່ໄປນີ້.

ສົ່ງສອບຖາມ

ສະຫງວນລິຂະສິດ @ 2020 Shenzhen Box Optronics Technology Co., Ltd. - China Fiber Optic Modules, Fiber Coupled Lasers manufacturers, Laser Components Suppliers ສະຫງວນລິຂະສິດທຸກປະການ.