1570nm ແຫຼ່ງເລເຊີຄວາມຍາວຄື້ນດຽວ ຜູ້ຜະລິດ

ໂຮງງານຜະລິດຂອງພວກເຮົາສະຫນອງໂມດູນເລເຊີເສັ້ນໄຍ, ໂມດູນເລເຊີ ultrafast, ເລເຊີ diode ພະລັງງານສູງ. ບໍລິສັດຂອງພວກເຮົາຮັບຮອງເອົາເຕັກໂນໂລຊີຂະບວນການຕ່າງປະເທດ, ມີອຸປະກອນການຜະລິດແລະການທົດສອບກ້າວຫນ້າທາງດ້ານ, ໃນຊຸດການເຊື່ອມອຸປະກອນ, ການອອກແບບໂມດູນມີເຕັກໂນໂລຊີຊັ້ນນໍາແລະປະໂຫຍດການຄວບຄຸມຄ່າໃຊ້ຈ່າຍ, ເຊັ່ນດຽວກັນກັບລະບົບການຮັບປະກັນຄຸນນະພາບທີ່ສົມບູນແບບ, ສາມາດຮັບປະກັນການສະຫນອງປະສິດທິພາບສູງສໍາລັບລູກຄ້າ. , ຜະລິດຕະພັນ optoelectronic ຄຸນະພາບທີ່ເຊື່ອຖືໄດ້.

ຜະລິດຕະພັນຮ້ອນ

  • 915nm 30W 2-PIN Multimode Laser Diode

    915nm 30W 2-PIN Multimode Laser Diode

    915nm 30W 2-PIN Multimode Laser Diode ຖືກອອກແບບແລະຜະລິດໂດຍ BoxOptronics, ມັນມີຄວາມຕ້ອງການທີ່ມີປະສິດທິພາບສູງແລະຄວາມຫນ້າເຊື່ອຖືສູງສໍາລັບການສູບເລເຊີເສັ້ນໄຍແລະແຂງ.
  • 1550nm 5mW TO-CAN DFB Laser Diode

    1550nm 5mW TO-CAN DFB Laser Diode

    ນີ້ 1550nm 5mW TO-CAN DFB Laser Diode ເປັນຜະລິດຕະພັນທີ່ສາມາດປະຕິບັດໄດ້ໃນໄລຍະອຸນຫະພູມກ້ວາງທີ່ມີຄ່າສໍາປະສິດອຸນຫະພູມຕ່ໍາ wavelength. ມັນເຫມາະສົມດີສໍາລັບຄໍາຮ້ອງສະຫມັກເຊັ່ນ: ການຄົ້ນຄວ້າການສື່ສານ, interferometry, ແລະ optical reflectometry ສໍາລັບການວັດແທກໄລຍະຫ່າງໃນເສັ້ນໄຍຫຼືພື້ນທີ່ຫວ່າງ. ແຕ່ລະອຸປະກອນຜ່ານການທົດສອບແລະການເຜົາໄຫມ້. ເລເຊີນີ້ມາຫຸ້ມຫໍ່ຢູ່ໃນກະປ໋ອງຂະໜາດ 5.6 ມມ. ມັນບັນຈຸມີເລນໂຟກັສ aspheric ປະສົມປະສານຢູ່ໃນຫມວກ, ເຮັດໃຫ້ຈຸດໂຟກັສແລະຮູຮັບແສງຕົວເລກ (NA) ຖືກຈັບຄູ່ກັບເສັ້ນໄຍ SMF-28e+.
  • 915nm 130W Laser Diode 106um Fiber Coupled Module

    915nm 130W Laser Diode 106um Fiber Coupled Module

    ໂມດູນຄູ່ Fiber Coupled 915nm 130W Laser Diode 106um ສະຫນອງພະລັງງານຜົນຜະລິດສູງເຖິງ 130W ຈາກເສັ້ນໄຍ 106um. ໄດໂອດເລເຊີຮັກສາຄວາມຫນ້າເຊື່ອຖືແລະປະສິດທິພາບທີ່ບໍ່ສາມາດປຽບທຽບໄດ້ໂດຍການ coupling ຄວາມສະຫວ່າງສູງ, ພະລັງງານສູງ diodes ດຽວ emitter ທີ່ມີການອອກແບບ optical ເປັນເຈົ້າຂອງສໍາລັບການ coupling ເສັ້ນໄຍປະສິດທິພາບ.
  • ເຄື່ອງຂະຫຍາຍສາຍໄຟເບີ C-band 2W 33dBm Erbium-Doped Fiber ສູງ EDFA

    ເຄື່ອງຂະຫຍາຍສາຍໄຟເບີ C-band 2W 33dBm Erbium-Doped Fiber ສູງ EDFA

    ເຄື່ອງຂະຫຍາຍສາຍໄຟເບີ C-band 2W 33dBm ພະລັງງານສູງ EDFA(EYDFA-HP) ແມ່ນອີງໃສ່ເທກໂນໂລຍີເຄື່ອງຂະຫຍາຍເສັ້ນໄຍ erbium-doped double-clad, ການນໍາໃຊ້ຂະບວນການຫຸ້ມຫໍ່ optical ເປັນເອກະລັກ, ບວກໃສ່ກັບການອອກແບບປ້ອງກັນ laser ພະລັງງານສູງທີ່ເຊື່ອຖືໄດ້. , ເພື່ອບັນລຸຜົນຜະລິດ laser ພະລັງງານສູງໃນລະດັບ 1540 ~ 1565nm wavelength. ມີພະລັງງານສູງແລະສຽງຕ່ໍາ, ມັນສາມາດຖືກນໍາໃຊ້ໃນການສື່ສານ fiber optic, Lidar, ແລະອື່ນໆ.
  • 1310nm 5mW TO-CAN DFB Laser Diode

    1310nm 5mW TO-CAN DFB Laser Diode

    1310nm 5mW TO-CAN DFB Laser Diode ນີ້ແມ່ນຜະລິດຕະພັນທີ່ສາມາດປະຕິບັດໄດ້ໃນໄລຍະອຸນຫະພູມກວ້າງທີ່ມີຄ່າສໍາປະສິດຂອງຄື້ນຟອງອຸນຫະພູມຕ່ໍາ. ມັນເຫມາະສົມດີສໍາລັບຄໍາຮ້ອງສະຫມັກເຊັ່ນ: ການຄົ້ນຄວ້າການສື່ສານ, interferometry, ແລະ optical reflectometry ສໍາລັບການວັດແທກໄລຍະຫ່າງໃນເສັ້ນໄຍຫຼືພື້ນທີ່ຫວ່າງ. ແຕ່ລະອຸປະກອນຜ່ານການທົດສອບແລະການເຜົາໄຫມ້. ເລເຊີນີ້ມາຫຸ້ມຫໍ່ຢູ່ໃນກະປ໋ອງຂະໜາດ 5.6 ມມ. ມັນບັນຈຸມີເລນໂຟກັສ aspheric ປະສົມປະສານຢູ່ໃນຫມວກ, ເຮັດໃຫ້ຈຸດໂຟກັສແລະຮູຮັບແສງຕົວເລກ (NA) ຖືກຈັບຄູ່ກັບເສັ້ນໄຍ SMF-28e+.
  • ຊິບເລເຊີ Diode 976nm 12W

    ຊິບເລເຊີ Diode 976nm 12W

    The 976nm 12W Diode Laser Chip, ພະລັງງານຜົນຜະລິດ 12W, ຊີວິດຍາວ, ປະສິດທິພາບສູງ, ນໍາໃຊ້ຢ່າງກວ້າງຂວາງໃນປັ໊ມອຸດສາຫະກໍາ, ແສງເລເຊີ, R&D ແລະຂົງເຂດອື່ນໆ.

ສົ່ງສອບຖາມ