+86-0755 21009302  
  ricky01@boxoptronics.com
ຜະລິດຕະພັນ
ບ້ານ > ຜະລິດຕະພັນ > 1570nm ແຫຼ່ງເລເຊີຄວາມຍາວຄື້ນດຽວ

1570nm ແຫຼ່ງເລເຊີຄວາມຍາວຄື້ນດຽວ ຜູ້ຜະລິດ

ໂຮງງານຜະລິດຂອງພວກເຮົາສະຫນອງໂມດູນເລເຊີເສັ້ນໄຍ, ໂມດູນເລເຊີ ultrafast, ເລເຊີ diode ພະລັງງານສູງ. ບໍລິສັດຂອງພວກເຮົາຮັບຮອງເອົາເຕັກໂນໂລຊີຂະບວນການຕ່າງປະເທດ, ມີອຸປະກອນການຜະລິດແລະການທົດສອບກ້າວຫນ້າທາງດ້ານ, ໃນຊຸດການເຊື່ອມອຸປະກອນ, ການອອກແບບໂມດູນມີເຕັກໂນໂລຊີຊັ້ນນໍາແລະປະໂຫຍດການຄວບຄຸມຄ່າໃຊ້ຈ່າຍ, ເຊັ່ນດຽວກັນກັບລະບົບການຮັບປະກັນຄຸນນະພາບທີ່ສົມບູນແບບ, ສາມາດຮັບປະກັນການສະຫນອງປະສິດທິພາບສູງສໍາລັບລູກຄ້າ. , ຜະລິດຕະພັນ optoelectronic ຄຸນະພາບທີ່ເຊື່ອຖືໄດ້.

ຜະ​ລິດ​ຕະ​ພັນ​ທີ່​ກ່ຽວ​ຂ້ອງ

ຜະລິດຕະພັນຮ້ອນ

  • Erbium-ytterbium Co-doped Triple-clad Single-mode Fiber

    Erbium-ytterbium Co-doped Triple-clad Single-mode Fiber

    BoxOptronics Erbium-ytterbium Co-doped Triple-clad Single-mode Fiber ສ່ວນໃຫຍ່ແມ່ນໃຊ້ໃນເລເຊີ radar, ລະດັບເລເຊີ, ການຂະຫຍາຍການສື່ສານແລະຂົງເຂດອື່ນໆ. ເສັ້ນໄຍ optical ໃຊ້ fluorine-doped silica ດັດຊະນີ refractive ຕ່ໍາເປັນວັດສະດຸ cladding ທີສອງ, ເຊິ່ງບໍ່ພຽງແຕ່ມີການສູນເສຍ splicing ຕ່ໍາແລະປະສິດທິພາບການແປງແສງສະຫວ່າງເປັນແສງສະຫວ່າງສູງ, ແຕ່ຍັງທົນທານຕໍ່ອຸນຫະພູມສູງທີ່ດີ. ເສັ້ນໄຍ optical ສາມາດປັບຄ່າສໍາປະສິດການດູດຊຶມແລະໄດ້ຮັບ spectrum ດ້ວຍຄວາມສອດຄ່ອງທີ່ດີ.
  • 1350nm DFB Coaxial Pigtailed Laser Diode ດ້ວຍ TEC

    1350nm DFB Coaxial Pigtailed Laser Diode ດ້ວຍ TEC

    1350nm DFB Coaxial Pigtailed Laser Diode With TEC ໂດຍທົ່ວໄປແມ່ນໃຊ້ສໍາລັບການສະຖຽນລະພາບຫຼື modulating ແຫຼ່ງແສງສະຫວ່າງ. ນອກຈາກນັ້ນ, ແຫຼ່ງ laser ຄວາມຫມັ້ນຄົງສູງສາມາດຖືກນໍາໃຊ້ສໍາລັບອຸປະກອນການທົດສອບແລະອຸປະກອນ OTDR. ໄດໂອດເລເຊີແມ່ນປະກອບດ້ວຍຊິບ CWDM-DFB, ຕົວແຍກຕົວດ່ຽວ, ຕິດຕັ້ງໃນຈໍພາບ photodiode ແລະ TEC cooler, ແລະ SC/APC, SC/PC, FC/APC, FC/PC optical fiber connector. ລູກຄ້າສາມາດເລືອກຄວາມຍາວຂອງເສັ້ນໄຍ optical ແລະຄໍານິຍາມ pin ອີງຕາມຄວາມຕ້ອງການຕົວຈິງ. ພະລັງງານຜົນຜະລິດສາມາດໃຊ້ໄດ້ຈາກ 1MW, 1270nm ~ 1610nm CWDM wavelength ທີ່ມີຢູ່.
  • C+L band Wide wavelength ASE Broadband ໂມດູນແຫຼ່ງແສງສະຫວ່າງ

    C+L band Wide wavelength ASE Broadband ໂມດູນແຫຼ່ງແສງສະຫວ່າງ

    ທ່ານສາມາດຫມັ້ນໃຈໄດ້ໃນການຊື້ C + L Band Wide Wavelength ASE Broadband Light Source Module ຈາກໂຮງງານຂອງພວກເຮົາແລະພວກເຮົາຈະສະເຫນີໃຫ້ທ່ານມີບໍລິການຫລັງການຂາຍທີ່ດີທີ່ສຸດແລະການຈັດສົ່ງທີ່ທັນເວລາ.
  • 1653nm 40mW DFB Laser Diode ສໍາລັບ Methane Sensor CH4 Sensing

    1653nm 40mW DFB Laser Diode ສໍາລັບ Methane Sensor CH4 Sensing

    1653nm 40mW DFB Laser Diode ສໍາລັບ Methane Sensor CH4 Sensing ໃຊ້ການກໍ່ສ້າງແບບແຜນທີ່ມີຊິບເທິງ subcarrier. ຊິບພະລັງງານສູງໄດ້ຖືກຜະນຶກເຂົ້າກັນໃນຊຸດ butterfly 14-pin ທີ່ບໍ່ມີ epoxy ແລະບໍ່ມີ flux ແລະປະກອບກັບເຄື່ອງເຮັດຄວາມຮ້ອນ, ເຄື່ອງເຮັດຄວາມເຢັນ thermoelectric, ແລະ diode ຕິດຕາມກວດກາເພື່ອຮັບປະກັນປະສິດທິພາບ laser ຄຸນນະພາບສູງ. ຜະລິດຕະພັນເລເຊີຂອງພວກເຮົາແມ່ນ Telcordia GR-468 ທີ່ມີຄຸນນະພາບ, ແລະປະຕິບັດຕາມຄໍາແນະນໍາ RoHS.
  • 500um InGaAs PIN Photodiode Chip

    500um InGaAs PIN Photodiode Chip

    ຊິບ 500um InGaAs PIN Photodiode ສະຫນອງການຕອບສະຫນອງທີ່ດີເລີດຈາກ 900nm ຫາ 1700nm, ທີ່ສົມບູນແບບສໍາລັບໂທລະຄົມນາຄົມແລະໃກ້ກັບ IR ກວດພົບ. photodiode ແມ່ນດີເລີດສໍາລັບແບນວິດສູງແລະຄໍາຮ້ອງສະຫມັກການຈັດຕໍາແຫນ່ງຢ່າງຫ້າວຫັນ.
  • CWDM 10mW DFB Butterfly Laser Diode ກັບ TEC ສໍາລັບໂທລະຄົມນາຄົມ

    CWDM 10mW DFB Butterfly Laser Diode ກັບ TEC ສໍາລັບໂທລະຄົມນາຄົມ

    ຕໍ່ໄປນີ້ແມ່ນກ່ຽວກັບ CWDM 10mW DFB Butterfly Laser Diode ກັບ TEC ສໍາລັບ Telecommunication ທີ່ກ່ຽວຂ້ອງ, ຂ້າພະເຈົ້າຫວັງວ່າຈະຊ່ວຍໃຫ້ທ່ານເຂົ້າໃຈດີຂຶ້ນ CWDM 10mW DFB Butterfly Laser Diode With TEC ສໍາລັບໂທລະຄົມນາຄົມ. ຍິນດີຕ້ອນຮັບລູກຄ້າເກົ່າແລະໃຫມ່ທີ່ຈະສືບຕໍ່ຮ່ວມມືກັບພວກເຮົາເພື່ອສ້າງອະນາຄົດທີ່ດີກວ່າຮ່ວມກັນ!
  • ບລັອກທີ່ກ່ຽວຂ້ອງ
  • ການທົບທວນຄືນ

  • ແບບຟອມການຫຸ້ມຫໍ່ເລເຊີ semiconductor ແລະໂຄງສ້າງຫຸ້ມຫໍ່

    ຊິບເລນເລນເລເຊີແມ່ນເລເຊີທີ່ໃຊ້ໃນ semiconductor ທີ່ປະກອບດ້ວຍໂຄງສ້າງ P-N ແລະຖືກຂັບເຄື່ອນໂດຍປະຈຸບັນ. ຊຸດເລເຊີ Laser Diode ແມ່ນອຸປະກອນທີ່ສົມບູນທີ່ຖືກປະກອບແລະຫຸ້ມຫໍ່ເຂົ້າໃຊ້ໃນການຄວບຄຸມຜົນຜະລິດຂອງພະລັງງານ, ຫຼືມີເລນ optical ສໍາລັບການປະທະກັນຂອງເລເຊີ.

  • ຄໍາຮ້ອງສະຫມັກ semiconductor laser diode

    ດ້ວຍການພັດທະນາເຕັກໂນໂລຢີແລະຂະບວນການ, diodes laser semiconductor ໃນປະຈຸບັນໃນການປະຕິບັດຕົວຈິງມີໂຄງສ້າງ multilayer ທີ່ສັບສົນ.

  • Dense Wavelength Division Multiplexing

    DWDM: Dense Wavelength Division Multiplexing ແມ່ນຄວາມສາມາດໃນການລວມກຸ່ມຂອງຄວາມຍາວຄື້ນ optical ແລະນໍາໃຊ້ເສັ້ນໄຍ optical ດຽວສໍາລັບການສົ່ງ. ນີ້​ແມ່ນ​ເຕັກ​ໂນ​ໂລ​ຊີ laser ທີ່​ໃຊ້​ເພື່ອ​ເພີ່ມ​ທະ​ວີ​ການ​ວາງ​ຂອງ​ສັນ​ຍານ​ໃນ​ເຄືອ​ຂ່າຍ backbone ເສັ້ນ​ໄຍ​ແສງ​ທີ່​ມີ​ຢູ່​ແລ້ວ​. ຫຼາຍທີ່ຊັດເຈນ, ເຕັກໂນໂລຢີແມ່ນການຂະຫຍາຍຊ່ອງຫວ່າງທີ່ແຫນ້ນຫນາຂອງສາຍສົ່ງເສັ້ນໄຍດຽວໃນເສັ້ນໄຍທີ່ກໍານົດເພື່ອນໍາໃຊ້ປະສິດທິພາບການສົ່ງທີ່ສາມາດບັນລຸໄດ້ (ຕົວຢ່າງ, ເພື່ອບັນລຸລະດັບການກະຈາຍຫຼືການຫຼຸດຫນ້ອຍລົງ). ດ້ວຍວິທີນີ້, ພາຍໃຕ້ຄວາມສາມາດໃນການສົ່ງຂໍ້ມູນທີ່ໄດ້ຮັບ, ຈໍານວນເສັ້ນໃຍແກ້ວນໍາແສງທີ່ຕ້ອງການສາມາດຫຼຸດລົງໄດ້.

  • ຄວາມແຕກຕ່າງລະຫວ່າງ lasers semiconductor ແລະ lasers ເສັ້ນໄຍ

    ຄວາມແຕກຕ່າງລະຫວ່າງ lasers ເສັ້ນໄຍແລະ lasers semiconductor ແມ່ນຢູ່ໃນວັດສະດຸ dielectric ທີ່ແຕກຕ່າງກັນທີ່ໃຊ້ໃນການເຮັດເລເຊີ.

  • ວິທີການກວດກາປົກກະຕິຂອງເຄື່ອງຂະຫຍາຍສຽງໃຍແກ້ວນໍາແສງ

  • lasers ultrafast ພະລັງງານສູງແລະເລນຄວາມຮ້ອນ

    lasers ultrafast ພະລັງງານສູງຖືກນໍາໃຊ້ຢ່າງກວ້າງຂວາງເນື່ອງຈາກວ່າໄລຍະເວລາກໍາມະຈອນສັ້ນຂອງເຂົາເຈົ້າແລະພະລັງງານສູງສຸດ. lasers Ultrafast ຖືກນໍາໃຊ້ໃນຄໍາຮ້ອງສະຫມັກການປຸງແຕ່ງວັດສະດຸ, lasers ເສັ້ນໄຍທາງການແພດ, ກ້ອງຈຸລະທັດແລະຂົງເຂດອື່ນໆ.

ສົ່ງສອບຖາມ

ສະຫງວນລິຂະສິດ @ 2020 Shenzhen Box Optronics Technology Co., Ltd. - China Fiber Optic Modules, Fiber Coupled Lasers manufacturers, Laser Components Suppliers ສະຫງວນລິຂະສິດທຸກປະການ.