+86-18320849226  
  sales@boxoptronics.com
ຜະລິດຕະພັນ
ບ້ານ > ຜະລິດຕະພັນ > 840nm SLD diode

840nm SLD diode ຜູ້ຜະລິດ

ໂຮງງານຜະລິດຂອງພວກເຮົາສະຫນອງໂມດູນເລເຊີເສັ້ນໄຍ, ໂມດູນເລເຊີ ultrafast, ເລເຊີ diode ພະລັງງານສູງ. ບໍລິສັດຂອງພວກເຮົາຮັບຮອງເອົາເຕັກໂນໂລຊີຂະບວນການຕ່າງປະເທດ, ມີອຸປະກອນການຜະລິດແລະການທົດສອບກ້າວຫນ້າທາງດ້ານ, ໃນຊຸດການເຊື່ອມອຸປະກອນ, ການອອກແບບໂມດູນມີເຕັກໂນໂລຊີຊັ້ນນໍາແລະປະໂຫຍດການຄວບຄຸມຄ່າໃຊ້ຈ່າຍ, ເຊັ່ນດຽວກັນກັບລະບົບການຮັບປະກັນຄຸນນະພາບທີ່ສົມບູນແບບ, ສາມາດຮັບປະກັນການສະຫນອງປະສິດທິພາບສູງສໍາລັບລູກຄ້າ. , ຜະລິດຕະພັນ optoelectronic ຄຸນະພາບທີ່ເຊື່ອຖືໄດ້.

ຜະ​ລິດ​ຕະ​ພັນ​ທີ່​ກ່ຽວ​ຂ້ອງ

ຜະລິດຕະພັນຮ້ອນ

  • 1550nm 10mW 10G DFB Electro-absorption Modulator Laser EAM EML laser diode

    1550nm 10mW 10G DFB Electro-absorption Modulator Laser EAM EML laser diode

    1550nm 10mW 10G DFB Electro-absorption Modulator Laser EAM EML laser diode ປະສົມປະສານກັບ DFB laser diode ສໍາລັບການສົ່ງ optical 10G bit/s, ເຊິ່ງ fabricated ໃນຊຸດ butterfly ຜະນຶກເຂົ້າກັນໄດ້ hermetically. ເຊິ່ງໃນຕົວ modulator, TEC, thermistor, ຕິດຕາມກວດກາ photodiode, optical isolator ເພື່ອຮັບປະກັນປະສິດທິພາບ laser ຄຸນນະພາບສູງ. ພວກເຮົາຍັງມີການຄັດເລືອກລູກຄ້າຢ່າງເຕັມທີ່ຂອງພະລັງງານຜົນຜະລິດ, ປະເພດຊຸດແລະເສັ້ນໃຍຜົນຜະລິດຂອງເສັ້ນໄຍ SM. ໂມດູນນີ້ປະຕິບັດຕາມທີ່ອະທິບາຍໄວ້ໃນຂໍ້ກໍານົດ Telcordia GR-468-CORE.
  • 850nm 7mW SLEDs SLDs ສໍາລັບ Ophthalmic ແລະທາງການແພດ OCT

    850nm 7mW SLEDs SLDs ສໍາລັບ Ophthalmic ແລະທາງການແພດ OCT

    850nm 7mW SLEDs SLDs ສໍາລັບ ophthalmic ແລະທາງການແພດ OCT ເປັນແຫຼ່ງແສງສະຫວ່າງສໍາລັບຄໍາຮ້ອງສະຫມັກ ophthalmic ແລະທາງການແພດ OCT, ລະບົບສາຍສົ່ງເສັ້ນໄຍ, fiber optic gyros, ເຊັນເຊີໃຍແກ້ວນໍາແສງ, tomography optical coherence, ການວັດແທກ optical. diode ໄດ້ຖືກຫຸ້ມຫໍ່ຢູ່ໃນຊຸດ butterfly ມາດຕະຖານ 14-pin ທີ່ມີ photodiode ຕິດຕາມກວດກາແລະເຄື່ອງເຮັດຄວາມເຢັນ thermo-electric (TEC). ໂມດູນແມ່ນ pigtailed ກັບຮູບແບບດຽວ polarization ຮັກສາເສັ້ນໄຍແລະເຊື່ອມຕໍ່ໂດຍ FC / APC connector.
  • NIR 830 Superluminescent Diodes SLD

    NIR 830 Superluminescent Diodes SLD

    NIR 830 Superluminescent Diodes SLD ທີ່ເຮັດວຽກຢູ່ໃນໂຫມດ superluminescent ທີ່ແທ້ຈິງ. ຄຸນສົມບັດ superluminescent ນີ້ສ້າງແຖບກວ້າງຂຶ້ນໃນກະແສຂັບທີ່ສູງຂຶ້ນກົງກັນຂ້າມກັບ SLED ທໍາມະດາອື່ນໆທີ່ອີງໃສ່ ASE, ທີ່ນີ້ drive ສູງມັກຈະໃຫ້ແຖບແຄບກວ່າ. ຄວາມສອດຄ່ອງທີ່ຕໍ່າຂອງມັນຈະຊ່ວຍຫຼຸດຜ່ອນສຽງລົບກວນຂອງ Rayleigh backscattering. ຄຽງຄູ່ກັບພະລັງງານສູງແລະຄວາມກວ້າງຂອງສະເປກຕາໃຫຍ່, ມັນຊົດເຊີຍສິ່ງລົບກວນຂອງ photoreceiver ແລະປັບປຸງຄວາມລະອຽດທາງກວ້າງຂອງພື້ນທີ່ (ໃນ OCT) ແລະຄວາມອ່ອນໄຫວວັດແທກ (ໃນເຊັນເຊີ). SLED ແມ່ນມີຢູ່ໃນຊຸດ butterfly 14-pin. ມັນເປັນການປະຕິບັດຕາມຂໍ້ກໍານົດຂອງເອກະສານ Bellcore GR-468-CORE.
  • ເຄື່ອງຂະຫຍາຍສາຍໄຟເບີ C-band 3W 35dBm Erbium-Doped Fiber ສູງ EDFA

    ເຄື່ອງຂະຫຍາຍສາຍໄຟເບີ C-band 3W 35dBm Erbium-Doped Fiber ສູງ EDFA

    ເຄື່ອງຂະຫຍາຍສາຍໄຟເບີ C-band 3W 35dBm ພະລັງງານສູງ EDFA(EYDFA-HP) ແມ່ນອີງໃສ່ເທັກໂນໂລຍີເຄື່ອງຂະຫຍາຍເສັ້ນໄຍ erbium-doped ສອງຊັ້ນ, ໂດຍໃຊ້ຂະບວນການຫຸ້ມຫໍ່ optical ທີ່ເປັນເອກະລັກ, ສົມທົບກັບການອອກແບບປ້ອງກັນເລເຊີທີ່ມີພະລັງສູງທີ່ເຊື່ອຖືໄດ້. , ເພື່ອບັນລຸຜົນຜະລິດ laser ພະລັງງານສູງໃນລະດັບ 1540 ~ 1565nm wavelength. ມີພະລັງງານສູງແລະສຽງຕ່ໍາ, ມັນສາມາດຖືກນໍາໃຊ້ໃນການສື່ສານ fiber optic, Lidar, ແລະອື່ນໆ.
  • ພະລັງງານສູງ 5w 1570nm Fiber Laser Module ສໍາລັບ Pump Laser Source

    ພະລັງງານສູງ 5w 1570nm Fiber Laser Module ສໍາລັບ Pump Laser Source

    ພະລັງງານສູງ 5w 1570nm Fiber Laser Module ສໍາລັບ Pump Laser Source adopts DFB semiconductor laser chip, single-mode fiber output, professional design of driving circuit and TEC control to ensure the safe and stability of operation of laser.
  • 850nm 10mW DIL Package Superluminescent Diode sld diode SLED

    850nm 10mW DIL Package Superluminescent Diode sld diode SLED

    850nm 10mW DIL Package Superluminescent Diode sld diode SLED ເປັນແຫຼ່ງແສງສະຫວ່າງສໍາລັບຄໍາຮ້ອງສະຫມັກ ophthalmic ແລະທາງການແພດ OCT, ລະບົບສາຍສົ່ງເສັ້ນໄຍ, fiber optic gyros, ເຊັນເຊີໃຍແກ້ວນໍາແສງ, tomography optical coherence, ການວັດແທກ optical. diode ໄດ້ຖືກຫຸ້ມຫໍ່ຢູ່ໃນຊຸດ butterfly ມາດຕະຖານ 14-pin ທີ່ມີ photodiode ຕິດຕາມກວດກາແລະເຄື່ອງເຮັດຄວາມເຢັນ thermo-electric (TEC). ໂມດູນແມ່ນ pigtailed ກັບຮູບແບບດຽວ polarization ຮັກສາເສັ້ນໄຍແລະເຊື່ອມຕໍ່ໂດຍ FC / APC connector.
  • ບລັອກທີ່ກ່ຽວຂ້ອງ
  • ການທົບທວນຄືນ

  • ປະສິດທິພາບ optical ຂອງ lasers ສີຂຽວໄດ້ຖືກປັບປຸງຢ່າງຫຼວງຫຼາຍ

    ເລເຊີຖືກຖືວ່າເປັນສິ່ງປະດິດທີ່ຍິ່ງໃຫຍ່ທີ່ສຸດຂອງມະນຸດຊາດໃນສະຕະວັດທີ 20, ແລະຮູບລັກສະນະຂອງມັນໄດ້ຊຸກຍູ້ຢ່າງແຂງແຮງຕໍ່ຄວາມກ້າວຫນ້າຂອງການກວດສອບ, ການສື່ສານ, ການປຸງແຕ່ງ, ການສະແດງແລະຂົງເຂດອື່ນໆ. ເລເຊີ Semiconductor ແມ່ນປະເພດເລເຊີທີ່ແກ່ກ່ອນໜ້ານີ້ ແລະມີຄວາມກ້າວໜ້າໄວຂຶ້ນ. ພວກເຂົາມີລັກສະນະຂະຫນາດນ້ອຍ, ປະສິດທິພາບສູງ, ຄ່າໃຊ້ຈ່າຍຕ່ໍາ, ແລະຊີວິດຍາວ, ດັ່ງນັ້ນເຂົາເຈົ້າໄດ້ຖືກນໍາໃຊ້ຢ່າງກວ້າງຂວາງ. ໃນຊຸມປີຕົ້ນ, ເລເຊີອິນຟາເລດໂດຍອີງໃສ່ລະບົບ GaAsInP ໄດ້ວາງພື້ນຖານຂອງການປະຕິວັດຂໍ້ມູນ.

  • ສະຖາບັນຄົ້ນຄ້ວາ Hefei ໄດ້ມີຄວາມຄືບຫນ້າໃນເຕັກໂນໂລຊີການຊອກຄົ້ນຫາໄນໂຕຣເຈນ dioxide ໃນບັນຍາກາດ

    ບໍ່ດົນມານີ້, Zhang Weijun, ນັກຄົ້ນຄວ້າຢູ່ Anhui Institute of Optics and Fine Mechanics, Hefei Institute of Physical Science, Chinese Academy of Sciences, ໄດ້ມີຄວາມຄືບຫນ້າໃນເຕັກໂນໂລຢີການຊອກຄົ້ນຫາໄນໂຕຣເຈນໄດອອກໄຊ (NO2) ໃນບັນຍາກາດ. ວິທີການໃຫມ່ສໍາລັບການກວດພົບຢ່າງໄວວາແລະລະອຽດອ່ອນຂອງ NO2" ໄດ້ຖືກຈັດພີມມາຢູ່ໃນສະມາຄົມເຄມີອາເມລິກາ "ເຄມີການວິເຄາະ".

  • Dense Wavelength Division Multiplexing

    DWDM (Dense Wavelength Division Multiplexing): ແມ່ນຄວາມສາມາດໃນການລວມກຸ່ມຂອງຄວາມຍາວຄື້ນ optical ກັບເສັ້ນໃຍ optical ດຽວສໍາລັບການສົ່ງ. ນີ້ແມ່ນເທັກໂນໂລຍີເລເຊີທີ່ໃຊ້ເພື່ອເພີ່ມແບນວິດໃນເຄືອຂ່າຍກະດູກສັນຫຼັງໃຍແກ້ວນໍາແສງທີ່ມີຢູ່. ຫຼາຍທີ່ຊັດເຈນ, ເຕັກໂນໂລຢີແມ່ນການຂະຫຍາຍຊ່ອງຫວ່າງທີ່ແຫນ້ນຫນາຂອງສາຍສົ່ງເສັ້ນໄຍດຽວໃນເສັ້ນໄຍທີ່ກໍານົດເພື່ອນໍາໃຊ້ປະສິດທິພາບການສົ່ງທີ່ສາມາດບັນລຸໄດ້ (ຕົວຢ່າງ, ເພື່ອບັນລຸລະດັບການກະຈາຍຫຼືການຫຼຸດຫນ້ອຍລົງ). ດ້ວຍວິທີນີ້, ພາຍໃຕ້ຄວາມສາມາດໃນການສົ່ງຂໍ້ມູນທີ່ໄດ້ຮັບ, ຈໍານວນເສັ້ນໃຍແກ້ວນໍາແສງທີ່ຕ້ອງການສາມາດຫຼຸດລົງໄດ້.

  • ເລເຊີ semiconductor ແມ່ນຫຍັງ?

    ນັບຕັ້ງແຕ່ການປະດິດ laser semiconductor ທໍາອິດຂອງໂລກໃນປີ 1962, laser semiconductor ໄດ້ມີການປ່ຽນແປງຢ່າງຫຼວງຫຼາຍ, ຢ່າງຫຼວງຫຼາຍສົ່ງເສີມການພັດທະນາວິທະຍາສາດແລະເຕັກໂນໂລຊີອື່ນໆ, ແລະຖືວ່າເປັນຫນຶ່ງໃນສິ່ງປະດິດຂອງມະນຸດທີ່ຍິ່ງໃຫຍ່ທີ່ສຸດໃນສະຕະວັດ twentieth. ໃນສິບປີທີ່ຜ່ານມາ, lasers semiconductor ໄດ້ພັດທະນາຢ່າງໄວວາແລະໄດ້ກາຍເປັນເຕັກໂນໂລຢີເລເຊີທີ່ເຕີບໂຕໄວທີ່ສຸດໃນໂລກ. ລະດັບຄໍາຮ້ອງສະຫມັກຂອງ lasers semiconductor ກວມເອົາພາກສະຫນາມທັງຫມົດຂອງ optoelectronics ແລະໄດ້ກາຍເປັນເຕັກໂນໂລຊີຫຼັກຂອງວິທະຍາສາດ optoelectronics ມື້ນີ້. ເນື່ອງຈາກຂໍ້ດີຂອງຂະຫນາດຂະຫນາດນ້ອຍ, ໂຄງປະກອບການງ່າຍດາຍ, ພະລັງງານຂາເຂົ້າຕ່ໍາ, ຊີວິດຍາວ, modulation ງ່າຍແລະລາຄາຕ່ໍາ, lasers semiconductor ໄດ້ຖືກນໍາໃຊ້ຢ່າງກວ້າງຂວາງໃນຂົງເຂດ optoelectronics ແລະໄດ້ຮັບການຕີລາຄາສູງຈາກປະເທດຕ່າງໆໃນທົ່ວໂລກ.

  • ຄໍາຮ້ອງສະຫມັກແລະຫຼັກການຂອງ gratings bragg ເສັ້ນໄຍ

  • EPON ແມ່ນຫຍັງ?

    ດ້ວຍການພັດທະນາຢ່າງໄວວາຂອງອິນເຕີເນັດ, ຄວາມຕ້ອງການຂອງຜູ້ໃຊ້ເຄືອຂ່າຍສໍາລັບແບນວິດຂອງເຄືອຂ່າຍແມ່ນນັບມື້ນັບເພີ່ມຂຶ້ນ. ເພື່ອຕອບສະຫນອງຄວາມຕ້ອງການຂອງຕະຫຼາດ, ກະດູກສັນຫຼັງຂອງເຄືອຂ່າຍການສື່ສານໄດ້ມີການປ່ຽນແປງຢ່າງຫຼວງຫຼາຍ, ແລະເຄືອຂ່າຍການເຂົ້າເຖິງແບບດັ້ງເດີມທີ່ມີການປ່ຽນແປງຫນ້ອຍໄດ້ກາຍເປັນຂໍ້ບົກຜ່ອງໃນເຄືອຂ່າຍທັງຫມົດ, ແລະເຕັກໂນໂລຢີການເຂົ້າເຖິງບໍລະອົດແບນໃຫມ່ຕ່າງໆໄດ້ກາຍເປັນຈຸດເດັ່ນຂອງການຄົ້ນຄວ້າ. .

ສົ່ງສອບຖາມ

ສະຫງວນລິຂະສິດ @ 2020 Shenzhen Box Optronics Technology Co., Ltd. - China Fiber Optic Modules, Fiber Coupled Lasers manufacturers, Laser Components Suppliers ສະຫງວນລິຂະສິດທຸກປະການ.