ພະລັງງານສູງ 1550nm Nanosecond Pulsed Fiber Laser ຜູ້ຜະລິດ

ໂຮງງານຜະລິດຂອງພວກເຮົາສະຫນອງໂມດູນເລເຊີເສັ້ນໄຍ, ໂມດູນເລເຊີ ultrafast, ເລເຊີ diode ພະລັງງານສູງ. ບໍລິສັດຂອງພວກເຮົາຮັບຮອງເອົາເຕັກໂນໂລຊີຂະບວນການຕ່າງປະເທດ, ມີອຸປະກອນການຜະລິດແລະການທົດສອບກ້າວຫນ້າທາງດ້ານ, ໃນຊຸດການເຊື່ອມອຸປະກອນ, ການອອກແບບໂມດູນມີເຕັກໂນໂລຊີຊັ້ນນໍາແລະປະໂຫຍດການຄວບຄຸມຄ່າໃຊ້ຈ່າຍ, ເຊັ່ນດຽວກັນກັບລະບົບການຮັບປະກັນຄຸນນະພາບທີ່ສົມບູນແບບ, ສາມາດຮັບປະກັນການສະຫນອງປະສິດທິພາບສູງສໍາລັບລູກຄ້າ. , ຜະລິດຕະພັນ optoelectronic ຄຸນະພາບທີ່ເຊື່ອຖືໄດ້.

ຜະລິດຕະພັນຮ້ອນ

  • 1470nm DFB Pigtailed Laser Diode ດ້ວຍ Fiber Mode ດຽວ

    1470nm DFB Pigtailed Laser Diode ດ້ວຍ Fiber Mode ດຽວ

    1470nm DFB Pigtailed Laser Diode With Single Mode Fiber ປະກອບດ້ວຍເລເຊີ Distributed Feedback (DFB) , ມີເສັ້ນໄຍ pigtail ທີ່ຕິດໄວ້ຢ່າງແນ່ນອນເພື່ອປະສິດທິພາບການເຊື່ອມໂລຫະທີ່ດີທີ່ສຸດ. ລຸ້ນຄວາມຍາວຄື້ນສູນກາງ 1550nm ນີ້ມີກຳລັງການຜະລິດ 1mW ~ 4mW ປົກກະຕິ ແລະປະກອບມີ photodiode ດ້ານຫຼັງ, ແລະຕົວແຍກແສງແບບປະສົມປະສານ. pigtail ເສັ້ນໄຍຮູບແບບດຽວ 9/125 ຖືກປິດດ້ວຍຕົວເຊື່ອມຕໍ່ໃຍແກ້ວນໍາແສງແບບ FC/APC ຫຼື FC/PC. ຄໍາຮ້ອງສະຫມັກປະກອບມີຂໍ້ມູນຄວາມໄວສູງແລະລະບົບໂທລະຄົມນາຄົມແລະເຄື່ອງມື, ແລະອຸປະກອນ optical ຮຽກຮ້ອງໃຫ້ມີແຫຼ່ງແສງ laser diode.
  • C-band Erbium-doped Fiber

    C-band Erbium-doped Fiber

    ເສັ້ນໄຍ C-band Erbium-doped ຖືກອອກແບບມາສໍາລັບເຄື່ອງຂະຫຍາຍສາຍໄຟເບີ C-band ຊ່ອງດຽວແລະຫຼາຍຊ່ອງ, ແຫຼ່ງແສງສະຫວ່າງ ASE, EDFA ສໍາລັບເຄືອຂ່າຍເຂດຕົວເມືອງ, EDFA ສໍາລັບ CATV, ແລະ EDFA ສໍາລັບ DWDM. ເສັ້ນໄຍ optical ສາມາດສູບໄດ້ຢູ່ທີ່ 980 nm ຫຼື 1480 nm, ແລະມັນມີການສູນເສຍຕ່ໍາແລະຄວາມສອດຄ່ອງທີ່ດີໃນເວລາທີ່ເຊື່ອມຕໍ່ກັບເສັ້ນໄຍ optical ການສື່ສານ.
  • 1512nm 10mW DFB 14PIN Butterfly Laser ສໍາລັບ NH3 Sensing

    1512nm 10mW DFB 14PIN Butterfly Laser ສໍາລັບ NH3 Sensing

    1512nm 10mW DFB 14PIN Butterfly Laser ສໍາລັບ NH3 Sensing ປະກອບດ້ວຍເຄື່ອງເຮັດຄວາມເຢັນຄວາມຮ້ອນ (TEC), ເຄື່ອງເຮັດຄວາມຮ້ອນ, ຈໍພາບ photodiode, optical isolator ເພື່ອຮັບປະກັນປະສິດທິພາບ laser ຄຸນນະພາບສູງ. ໄດໂອດເລເຊີນີ້ໄດ້ຖືກອອກແບບສ່ວນໃຫຍ່ສໍາລັບການຮັບຮູ້ອາໂມເນຍໃນຄໍາຮ້ອງສະຫມັກການຄວບຄຸມການປ່ອຍອາຍພິດ. tunability ທີ່ດີເລີດເຮັດໃຫ້ laser ນີ້ເຫມາະສົມສໍາລັບຄໍາຮ້ອງສະຫມັກພິເສດຈໍານວນຫຼາຍໃນສະພາບແວດລ້ອມທີ່ຮຸນແຮງ.
  • 1120NM ສາຍໄຟສາຍໄຟຟ້າທີ່ມີຄວາມຖີ່ສູງຂຶ້ນໃນເລເຊີສໍາລັບການຄົ້ນຄວ້າແບບ opline ທີ່ບໍ່ແມ່ນສາຍ

    1120NM ສາຍໄຟສາຍໄຟຟ້າທີ່ມີຄວາມຖີ່ສູງຂຶ້ນໃນເລເຊີສໍາລັບການຄົ້ນຄວ້າແບບ opline ທີ່ບໍ່ແມ່ນສາຍ

    ເລເຊີນີ້ໃຊ້ຊິມເລເຊີທີ່ມີຮູບຊົງ semiconductor butsonductor. ຄົນຂັບລົດທີ່ຖືກອອກແບບເປັນມືອາຊີບແລະການຄວບຄຸມອຸນຫະພູມໃນການຄວບຄຸມການດໍາເນີນງານທີ່ປອດໄພ, ອໍານາດຜົນໄດ້ຮັບທີ່ຫມັ້ນຄົງ, ແລະຄວາມຫມັ້ນຄົງ. ມັນເຫມາະສົມເປັນເລເຊີສໍາລັບ lasers ພະລັງງານສູງແລະຍັງສາມາດໃຊ້ສໍາລັບການທົດສອບອຸປະກອນການຜະລິດ optical. ມີຢູ່ໃນ benchtop ຫຼືແບບໂມດູນ.
  • 940nm 20W Semiconductor Laser Diode

    940nm 20W Semiconductor Laser Diode

    940nm 20W Semiconductor Laser diode ໄດ້ຖືກພັດທະນາສໍາລັບການສູບນ້ໍາ, ທາງການແພດຫຼືອຸປະກອນການປຸງແຕ່ງ. ເລເຊີ diode ນີ້ໄດ້ຖືກອອກແບບເພື່ອສົ່ງພະລັງງານຜົນຜະລິດສູງຫຼາຍສໍາລັບຕະຫຼາດເລເຊີເສັ້ນໄຍແລະສໍາລັບຜູ້ຜະລິດລະບົບໂດຍກົງກັບການຕັ້ງຄ່າປັ໊ມທີ່ຫນາແຫນ້ນກວ່າ. ພະລັງງານຜົນຜະລິດຕ່າງໆແມ່ນມີຢູ່. ຄວາມຍາວຄື້ນທີ່ກຳນົດເອງ ແລະການຕັ້ງຄ່າທີ່ມີຢູ່ຕາມການຮ້ອງຂໍ.
  • 2mm Active Area TO-CAN InGaAs PIN Photodiode

    2mm Active Area TO-CAN InGaAs PIN Photodiode

    2mm Active Area TO-CAN InGaAs PIN Photodiode, photo-diode ຄວາມອ່ອນໄຫວສູງສໍາລັບການນໍາໃຊ້ເຄື່ອງມື infrared ແລະການນໍາໃຊ້ຄວາມຮູ້ສຶກ. ການຕອບສະ ໜອງ spectral ສູງໃນພາກພື້ນ 800 nm ຫາ 1700 nm.

ສົ່ງສອບຖາມ